[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010387363.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111508977A | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳義鵬;皇甫魯江;劉利賓 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;胡影 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,為解決顯示面板中數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓跳變會(huì)通過(guò)寄生電容帶動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓產(chǎn)生變化,進(jìn)而導(dǎo)致顯示面板部分區(qū)域的亮度出現(xiàn)異常的問(wèn)題。所述顯示面板的子像素驅(qū)動(dòng)電路中,驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極通過(guò)第四導(dǎo)電連接部與第二晶體管的第二極耦接,存儲(chǔ)電容的第二極板通過(guò)第三導(dǎo)電連接部與第一晶體管的第二極耦接;第一晶體管的柵極和第二晶體管的柵極分別與對(duì)應(yīng)的子像素區(qū)中的柵線圖形耦接;柵線圖形在基底上的正投影與第三導(dǎo)電連接部在基底上的正投影不交疊,和/或柵線圖形在基底上的正投影與第四導(dǎo)電連接部在基底上的正投影不交疊。本發(fā)明提供的顯示面板用于顯示畫面。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(英文:Active-matrix organic light-emittingdiode,簡(jiǎn)稱:AMOLED)顯示面板,以其自發(fā)光、低功耗、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),被廣泛的應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域。AMOLED顯示面板包括子像素驅(qū)動(dòng)電路和發(fā)光單元,通過(guò)子像素驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的發(fā)光單元發(fā)光,以實(shí)現(xiàn)顯示面板的顯示功能。
但是隨著顯示面板的分辨率越來(lái)越高,顯示面板中的布局空間越來(lái)越小,使得顯示面板中布局的子像素驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極,以及用于為所述子像素驅(qū)動(dòng)電路提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線圖形之間距離較近,容易產(chǎn)生寄生電容。這樣當(dāng)顯示面板處于發(fā)光狀態(tài)時(shí),數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓跳變會(huì)通過(guò)寄生電容帶動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓產(chǎn)生變化,進(jìn)而導(dǎo)致顯示面板部分區(qū)域的亮度出現(xiàn)異常,影響顯示面板的顯示質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置,用于解決顯示面板處于發(fā)光狀態(tài)時(shí),數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓跳變會(huì)通過(guò)寄生電容帶動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓產(chǎn)生變化,進(jìn)而導(dǎo)致顯示面板部分區(qū)域的亮度出現(xiàn)異常,影響顯示面板的顯示質(zhì)量。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
本發(fā)明的第一方面提供一種顯示面板,包括:基底和設(shè)置于所述基底上的子像素驅(qū)動(dòng)電路膜層、柵線層、數(shù)據(jù)線層和導(dǎo)電連接部層,還包括呈陣列分布的多個(gè)子像素區(qū);
所述柵線層包括位于各所述子像素區(qū)中的柵線圖形,所述柵線圖形的至少部分沿第一方向延伸;
所述數(shù)據(jù)線層包括位于各所述子像素區(qū)中的數(shù)據(jù)線圖形,所述數(shù)據(jù)線圖形的至少部分沿第二方向延伸,所述第一方向與所述第二方向相交,所述數(shù)據(jù)線圖形在所述基底上的正投影與所述柵線圖形在所述基底上的正投影交疊;
所述導(dǎo)電連接部層包括位于各所述子像素區(qū)中的第三導(dǎo)電連接部和第四導(dǎo)電連接部;
子像素驅(qū)動(dòng)電路膜層包括與所述子像素區(qū)一一對(duì)應(yīng)的子像素驅(qū)動(dòng)電路,每個(gè)所述子像素驅(qū)動(dòng)電路均包括:驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、第一晶體管和第二晶體管;所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極復(fù)用為所述存儲(chǔ)電容的第一極板,所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極通過(guò)對(duì)應(yīng)的子像素區(qū)中的第四導(dǎo)電連接部與所述第二晶體管的第二極耦接,所述存儲(chǔ)電容的第二極板通過(guò)對(duì)應(yīng)的子像素區(qū)中的第三導(dǎo)電連接部與所述第一晶體管的第二極耦接;所述第一晶體管的柵極和所述第二晶體管的柵極分別與對(duì)應(yīng)的子像素區(qū)中的柵線圖形耦接;所述柵線圖形在所述基底上的正投影與所述第三導(dǎo)電連接部在所述基底上的正投影不交疊,和/或所述柵線圖形在所述基底上的正投影與所述第四導(dǎo)電連接部在所述基底上的正投影不交疊。
可選的,所述顯示面板還包括:
電源信號(hào)線層,所述電源信號(hào)線層包括位于各所述子像素區(qū)中的電源信號(hào)線圖形,所述電源信號(hào)線圖形的至少部分沿所述第二方向延伸;
第一屏蔽層,所述第一屏蔽層包括位于各所述子像素區(qū)中的第一屏蔽圖形,所述第一屏蔽圖形與所述電源信號(hào)線圖形耦接,所述第一屏蔽圖形的至少部分沿所述第二方向延伸,所述第一屏蔽圖形在所述基底上的正投影與所述數(shù)據(jù)線圖形在所述基底上的正投影交疊。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





