[發明專利]形成垂直場效應晶體管器件的方法

在審

• 申請號: 202010380974.2
• 申請日: 2020-05-08
• 公開（公告）號: CN111916352A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 金旻奎;洪思煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

提供了形成垂直場效應晶體管器件的方法。該方法可以包括在基底上形成第一溝道區和第二溝道區，在基底以及第一溝道區和第二溝道區上形成襯墊，通過去除襯墊的一部分和基底的一部分，在第一溝道區和第二溝道區之間的基底中形成凹部，在基底的凹部中形成底部源極/漏極區，在底部源極/漏極區上形成封蓋層，去除襯墊和封蓋層，在基底和底部源極/漏極區上形成間隔物，以及在第一溝道區和第二溝道區的側表面上形成柵極結構。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年5月10日在USPTO提交的標題為“VFET FLAT BOTTOM SPACERFORMATION USING CAPPING LAYER ON EPI FILM(使用EPI膜上的封蓋層的VFET平坦底部間隔物形成)”的美國臨時申請第62/845,924號的優先權，其公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本公開總體涉及電子器件領域，并且更具體地，涉及垂直場效應晶體管(VerticalField-Effect Transistor，VFET)器件。

背景技術

由于VFET器件的高可擴展性，已經研究了VFET器件的各種結構和制造工藝。VFET器件的制造工藝可能由于增加底部源極/漏極區和柵極結構之間的距離而劣化性能。

發明內容

根據本發明構思的一些實施例，形成VFET器件的方法可以包括：在基底上形成第一溝道區和第二溝道區；在基底以及第一溝道區和第二溝道區上形成襯墊；通過去除襯墊的一部分和基底的一部分，在第一溝道區和第二溝道區之間的基底中形成凹部；在基底的凹部中形成底部源極/漏極區；在底部源極/漏極區上形成封蓋層；去除襯墊和封蓋層；在基底和底部源極/漏極區上形成間隔物；以及在第一溝道區和第二溝道區的側表面上形成柵極結構。第一溝道區和第二溝道區可以從基底突出，并且間隔物可以在柵極結構和基底之間延伸。

根據本發明構思的一些實施例，形成VFET器件的方法可以包括：形成第一溝道區和第二溝道區；在基底以及第一溝道區和第二溝道區的側表面上形成襯墊；通過去除襯墊的一部分和基底的一部分，在第一溝道區和第二溝道區之間的基底中形成凹部；以及在基底的凹部中形成底部源極/漏極區。第一溝道區和第二溝道區可以從基底突出。底部源極/漏極區可以包括被基底暴露的上表面。該方法還可以包括去除襯墊。去除襯墊可以不改變底部源極/漏極區的上表面的輪廓，并且可以暴露第一溝道區和第二溝道區的側表面。該方法還可以包括在去除襯墊之后，在基底和底部源極/漏極區上形成間隔物，以及在第一溝道區和第二溝道區的側表面上形成柵極結構。間隔物可以在柵極結構和基底之間延伸。

根據本發明構思的一些實施例，形成VFET器件的方法可以包括：形成第一溝道區和第二溝道區；在第一溝道區和第二溝道區之間的基底中形成底部源極/漏極區；在基底和底部源極/漏極區上形成間隔物；以及在第一溝道區和第二溝道區的側表面上形成柵極結構。第一溝道區和第二溝道區可以從基底突出。底部源極/漏極區可以包括被基底暴露的上表面，并且底部源極/漏極區的上表面可以沒有凹部。間隔物可以具有單一結構(unitarystructure)，并且可以接觸第一溝道區和第二溝道區的側表面。間隔物可以在柵極結構和基底之間延伸。

附圖說明

圖1是示出根據本發明構思的一些實施例的形成VFET器件的方法的流程圖。

圖2至圖8是示出根據本發明構思的一些實施例的形成VFET器件的方法的截面圖。

圖9至圖14是示出根據本發明構思的一些實施例的形成VFET器件的方法的截面圖。

具體實施方式