[發明專利]形成垂直場效應晶體管器件的方法

在審

• 申請號: 202010380974.2
• 申請日: 2020-05-08
• 公開（公告）號: CN111916352A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 金旻奎;洪思煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種形成垂直場效應晶體管器件的方法，所述方法包括：

在基底上形成第一溝道區和第二溝道區，其中所述第一溝道區和所述第二溝道區從所述基底突出；

在所述基底以及所述第一溝道區和所述第二溝道區上形成襯墊；

通過去除所述襯墊的一部分和所述基底的一部分，在所述第一溝道區和所述第二溝道區之間的基底中形成凹部；

在所述基底的所述凹部中形成底部源極/漏極區；

在所述底部源極/漏極區上形成封蓋層；

去除所述襯墊和所述封蓋層；

在所述基底和所述底部源極/漏極區上形成間隔物；以及

在所述第一溝道區和所述第二溝道區的側表面上形成柵極結構，其中所述間隔物在所述柵極結構和所述基底之間延伸。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述封蓋層包括使用所述底部源極/漏極區作為晶種層來執行外延生長工藝。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述封蓋層包括未摻雜的半導體層或摻雜的半導體層，所述摻雜的半導體層的摻雜濃度小于所述底部源極/漏極區的摻雜濃度的15％。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述封蓋層包括不同于所述襯墊的材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，去除所述襯墊和所述封蓋層包括去除所述封蓋層的上部并留下所述封蓋層的下部，并且

其中，形成所述間隔物包括形成所述間隔物的接觸所述封蓋層的所述下部的一部分。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，去除所述襯墊和所述封蓋層不改變所述底部源極/漏極區的上表面的輪廓。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述間隔物包括形成接觸所述第一溝道區和所述第二溝道區的所述側表面的間隔物。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述間隔物包括形成具有單一結構的間隔物。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述間隔物包括形成不突出到所述底部源極/漏極區中的間隔物。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述底部源極/漏極區包括形成包括被所述基底暴露的上表面的所述底部源極/漏極區，并且

其中，所述底部源極/漏極區的所述上表面沒有凹部。

11.一種形成垂直場效應晶體管器件的方法，所述方法包括：

形成第一溝道區和第二溝道區，其中所述第一溝道區和所述第二溝道區從基底突出；

在所述基底以及所述第一溝道區和所述第二溝道區的側表面上形成襯墊；

通過去除所述襯墊的一部分和所述基底的一部分，在所述第一溝道區和所述第二溝道區之間的基底中形成凹部；

在所述基底的所述凹部中形成底部源極/漏極區，其中所述底部源極/漏極區包括被所述基底暴露的上表面；

去除所述襯墊，其中去除所述襯墊不改變所述底部源極/漏極區的所述上表面的輪廓，并且暴露所述第一溝道區和所述第二溝道區的所述側表面；

在去除所述襯墊之后，在所述基底和所述底部源極/漏極區上形成間隔物；以及

在所述第一溝道區和所述第二溝道區的所述側表面上形成柵極結構，其中所述間隔物在所述柵極結構和所述基底之間延伸。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，去除所述襯墊不在所述底部源極/漏極區的所述上表面中形成凹部。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，所述間隔物不包括突出到所述底部源極/漏極區中的突出部分。

14.根據權利要求11所述的方法，還包括在去除所述襯墊之前，在所述底部源極/漏極區上形成封蓋層，

其中，去除所述襯墊包括去除所述襯墊和所述封蓋層。