[發(fā)明專利]電子裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010376210.6 | 申請日: | 2020-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN113140578A | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳志彥 | 申請(專利權(quán))人: | 勝薪科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/148;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱穎;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 裝置 | ||
1.一種電子裝置,其特征在于,包括:
多個微透鏡,所述多個微透鏡排成陣列;
限光結(jié)構(gòu);
第一透光結(jié)構(gòu);以及
感測元件,包括多個感測像素;
其中所述感測元件、所述第一透光結(jié)構(gòu)、所述限光結(jié)構(gòu)以及所述多個微透鏡在堆垛方向上依序堆垛,每一感測像素在所述堆垛方向上對應(yīng)所述多個微透鏡中的至少兩個微透鏡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,還包括第二透光結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述多個微透鏡與所述限光結(jié)構(gòu)之間,所述第二透光結(jié)構(gòu)在所述堆垛方向上的厚度落在8至15微米的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子裝置,其特征在于,所述第二透光結(jié)構(gòu)為鈍化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述多個微透鏡在所述堆垛方向上的最大高度落在1至3微米的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述限光結(jié)構(gòu)為金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述限光結(jié)構(gòu)包括多個透光孔,所述多個透光孔的孔徑落在1至2微米的范圍內(nèi),每一微透鏡在所述堆垛方向上對應(yīng)所述多個透光孔的其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一透光結(jié)構(gòu)包括多個內(nèi)金屬介電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置,其特征在于,所述第一透光結(jié)構(gòu)還包括內(nèi)層介電層,設(shè)置在所述多個內(nèi)金屬介電層與所述感測元件之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一透光結(jié)構(gòu)在所述堆垛方向上的厚度落在8至15微米的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置,其特征在于,還包括:
多個內(nèi)金屬層,分別嵌設(shè)在所述多個內(nèi)金屬介電層內(nèi);以及
驅(qū)動元件,其中所述第一透光結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述限光結(jié)構(gòu)與所述驅(qū)動元件之間,所述驅(qū)動元件與所述感測元件電性連接,并通過所述多個內(nèi)金屬層與所述限光結(jié)構(gòu)電性連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





