[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制造方法

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• 申請日: 2020-05-07
• 公開（公告）號: CN111613575A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設計）人: 易志根;潘明超;殷大山
• 申請（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明提出一種陣列基板及其制造方法，涉及顯示面板領域，陣列基板制造方法包括：S1：在基板上形成柵金屬層、覆蓋柵金屬層的柵極絕緣層以及位于柵極絕緣層上的半導體層；S2：形成位于半導體層上的信號電極層，信號電極層覆蓋在部分半導體層上，半導體層具有暴露于信號電極層外的邊緣部分；S3：在步驟S2的基礎上依序沉積無機絕緣層和光阻，通過曝光刻蝕形成位于柵金屬層上的第一開孔以及與第一開孔連通的第二開孔，第二開孔暴露出半導體層的邊緣部分；S4：刻蝕掉暴露出的信號電極層下層露出的半導體層的邊緣部分；S5：剝離光阻，形成位于第一開孔和第二開孔內(nèi)的透明電極層。

技術(shù)領域

本發(fā)明屬于顯示面板領域，具體涉及一種陣列基板及其制造方法。

技術(shù)背景

在液晶顯示技術(shù)領域，陣列基板的制造是關鍵的一環(huán)。現(xiàn)有技術(shù)中，對于陣列基板上的端子區(qū)，采用信號電極層(SD)的一部分與柵金屬層(Gate)疊加的設計，然后在無機絕緣層(PAS)內(nèi)開孔，用透明電極層將信號電極層和柵金屬層聯(lián)通起來。這一設計相較于常規(guī)端子區(qū)膜層設計占用面積小，能縮小面板邊框，提高開口率，但是信號電極層下層的柵極絕緣層(GI)會出現(xiàn)過度刻蝕的區(qū)域，過度刻蝕的存在容易導致后續(xù)膜層在制造過程中斷裂。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法，通過設計并刻蝕掉信號電極層下層露出的半導體層的邊緣部分以消除柵極絕緣層過刻的影響。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明公開了一種陣列基板的制造方法，包括以下步驟：

S1：在基板上形成柵金屬層、覆蓋柵金屬層的柵極絕緣層以及位于柵極絕緣層上的半導體層；

S2：形成位于半導體層上的信號電極層，信號電極層覆蓋在部分半導體層上，半導體層具有暴露于信號電極層外的邊緣部分；

S3：在步驟S2的基礎上依序沉積無機絕緣層和光阻，通過曝光刻蝕形成位于柵金屬層上的第一開孔以及與第一開孔連通的第二開孔，第二開孔暴露出半導體層的邊緣部分；

S4：刻蝕掉暴露出的信號電極層下層露出的半導體層的邊緣部分；

S5：剝離光阻，形成位于第一開孔和第二開孔內(nèi)的透明電極層。

優(yōu)選地，步驟S2形成的所述邊緣部分的寬度至少為0.5微米。

優(yōu)選地，步驟S3中，在刻蝕形成第一開孔時，柵極絕緣層在半導體層的下方形成過刻區(qū)域。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，邊緣部分的寬度不小于過刻區(qū)域的寬度。

優(yōu)選地，部分半導體層層疊在柵金屬層上方。

優(yōu)選地，步驟S4是采用草酸對所述邊緣部分進行刻蝕。

優(yōu)選地，所述半導體層的制作材料為IGZO。

本發(fā)明還公開了一種陣列基板，由上述的陣列基板的制造方法制造，包括：基板以及位于基板上的柵金屬層；柵極絕緣層，覆蓋柵金屬層；設置在柵金屬層上的第一開孔；半導體層，位于柵極絕緣層上且與柵金屬層部分重疊；信號電極層，位于半導體層上且與柵金屬層部分重疊；無機絕緣層，覆蓋部分信號電極層和柵極絕緣層，所述無機絕緣層在第一開孔上方以及信號電極層上方設有第二開孔；透明電極層，位于第一開孔和第二開孔內(nèi)且覆蓋部分信號電極層和部分無機絕緣層。

優(yōu)選地，所述信號電極層通過位于第二開孔內(nèi)的像素電極與柵金屬層接觸。

優(yōu)選地，所述半導體層為IGZO。

本發(fā)明能夠帶來以下至少一項有益效果：