[發明專利]一種陣列基板及其制造方法

在審

• 申請號: 202010375563.4
• 申請日: 2020-05-07
• 公開（公告）號: CN111613575A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 易志根;潘明超;殷大山
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：在基板上形成柵金屬層、覆蓋柵金屬層的柵極絕緣層以及位于柵極絕緣層上的半導體層；

S2：形成位于半導體層上的信號電極層，信號電極層覆蓋在部分半導體層上，半導體層具有暴露于信號電極層外的邊緣部分；

S3：在步驟S2的基礎上依序沉積無機絕緣層和光阻，通過曝光刻蝕形成位于柵金屬層上的第一開孔以及與第一開孔連通的第二開孔，第二開孔暴露出半導體層的邊緣部分；

S4：刻蝕掉暴露出的信號電極層下層露出的半導體層的邊緣部分；

S5：剝離光阻，形成位于第一開孔和第二開孔內的透明電極層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S2形成的所述邊緣部分的寬度至少為0.5微米。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S3中，在刻蝕形成第一開孔時，柵極絕緣層在半導體層的下方形成過刻區域。

4.根據權利要求3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，邊緣部分的寬度不小于過刻區域的寬度。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，部分半導體層層疊在柵金屬層上方。

6.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S4是采用草酸對所述邊緣部分進行刻蝕。

7.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述半導體層的制作材料為IGZO。

8.一種陣列基板，由權利要求1-7任一所述的陣列基板的制造方法制造，其特征在于，包括：

基板以及位于基板上的柵金屬層；

柵極絕緣層，覆蓋柵金屬層；

設置在柵金屬層上的第一開孔；

半導體層，位于柵極絕緣層上且與柵金屬層部分重疊；

信號電極層，位于半導體層上且與柵金屬層部分重疊；

無機絕緣層，覆蓋部分信號電極層和柵極絕緣層，所述無機絕緣層在第一開孔上方以及信號電極層上方設有第二開孔；

透明電極層，位于第一開孔和第二開孔內且覆蓋部分信號電極層和部分無機絕緣層。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述信號電極層通過位于第二開孔內的像素電極與柵金屬層接觸。

10.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述半導體層為IGZO。