[發(fā)明專利]一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導體封裝及其制備方法

在審

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• 申請日: 2020-05-06
• 公開（公告）號: CN111524876A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發(fā)明（設計）人: 趙慧
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州容思恒輝智能科技有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 佛山粵進知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 44463
• 代理人: 張敏

本發(fā)明涉及一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導體封裝及其制備方法，包括以下步驟：對半導體晶圓進行切割以形成單個的半導體管芯，在承載基材上設置多個所述半導體管芯，在所述承載基板上沉積電介質(zhì)材料以形成電介質(zhì)層，接著在所述承載基材上依次形成第一復合屏蔽層、第一樹脂封裝層、第二復合屏蔽層、第二樹脂封裝層、第三復合屏蔽層以及所述承載基板上形成第三樹脂封裝層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體封裝領(lǐng)域，特別是涉及一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導體封裝及其制備方法。

背景技術(shù)

對于現(xiàn)有的具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導體封裝來說，在制造過程中，通常是首先將芯片設置在線路基板上，然后利用封裝膠體來包裹所述芯片，進而將屏蔽結(jié)構(gòu)設置在所述封裝膠體上；還有一種方式則是首先將芯片設置在線路基板上，然后在樹脂材料中添加金屬填料，進而將具有金屬填料的樹脂材料覆蓋所述線路基板和所述芯片以形成封裝膠體，即使得封裝膠體具有電磁屏蔽效果。然而現(xiàn)有的半導體封裝具有電磁屏蔽效果差、電磁屏蔽層剝離等缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導體封裝及其制備方法。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導體封裝的制備方法，包括以下步驟：

1)提供一半導體晶圓，對所述半導體晶圓進行切割以形成單個的半導體管芯，在切割半導體晶圓的過程中，在所述半導體管芯的四側(cè)形成傾斜側(cè)面。

2)提供一承載基材，在所述承載基材上設置多個所述半導體管芯。

3)接著對多個所述半導體管芯的上表面和傾斜側(cè)面進行粗糙化處理，接著在所述承載基板上沉積電介質(zhì)材料以形成電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層覆蓋每個所述芯片的上表面和傾斜側(cè)面。

4)接著在所述承載基材上旋涂第一銅納米線懸浮液，其中所述第一銅納米線懸浮液中銅納米線的濃度為10-15mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第一氧化石墨烯分散液，其中所述第一氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的濃度為3-6mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第一PEDOT:PSS水溶液，其中所述第一PEDOT:PSS水溶液中PEDOT:PSS的濃度為10-20mg/ml，接著進行第一熱處理，以形成第一復合屏蔽層。

5)接著在所述承載基板上噴涂樹脂材料以形成第一樹脂封裝層，所述第一樹脂封裝層的厚度為30-60微米。

6)接著在所述承載基材上旋涂第二銅納米線懸浮液，其中所述第二銅納米線懸浮液中銅納米線的濃度為5-10mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第二氧化石墨烯分散液，其中所述第二氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的濃度為2-4mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第二PEDOT:PSS水溶液，其中所述第二PEDOT:PSS水溶液中PEDOT:PSS的濃度為5-15mg/ml，接著進行第二熱處理，以形成第二復合屏蔽層。

7)接著在所述承載基板上噴涂樹脂材料以形成第二樹脂封裝層，所述第二樹脂封裝層的厚度為50-100微米。

8)接著在所述承載基材上旋涂第三銅納米線懸浮液，其中所述第三銅納米線懸浮液中銅納米線的濃度為20-30mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第三氧化石墨烯分散液，其中所述第三氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的濃度為5-8mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第三PEDOT:PSS水溶液，其中所述第三PEDOT:PSS水溶液中PEDOT:PSS的濃度為15-25mg/ml，接著進行第三熱處理，以形成第三復合屏蔽層。

9)接著在所述承載基板上形成第三樹脂封裝層。

作為優(yōu)選，在所述步驟1)中，所述半導體管芯的所述傾斜側(cè)面與所述半導體管芯的底表面的夾角為10-50度。