[發明專利]一種具有屏蔽結構的半導體封裝及其制備方法

在審

• 申請號: 202010372693.2
• 申請日: 2020-05-06
• 公開（公告）號: CN111524876A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 趙慧
• 申請（專利權）人: 蘇州容思恒輝智能科技有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 佛山粵進知識產權代理事務所(普通合伙) 44463
• 代理人: 張敏

1.一種具有屏蔽結構的半導體封裝的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)提供一半導體晶圓，對所述半導體晶圓進行切割以形成單個的半導體管芯，在切割半導體晶圓的過程中，在所述半導體管芯的四側形成傾斜側面；

2)提供一承載基材，在所述承載基材上設置多個所述半導體管芯；

3)接著對多個所述半導體管芯的上表面和傾斜側面進行粗糙化處理，接著在所述承載基板上沉積電介質材料以形成電介質層，所述電介質層覆蓋每個所述芯片的上表面和傾斜側面；

4)接著在所述承載基材上旋涂第一銅納米線懸浮液，其中所述第一銅納米線懸浮液中銅納米線的濃度為10-15mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第一氧化石墨烯分散液，其中所述第一氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的濃度為3-6mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第一PEDOT:PSS水溶液，其中所述第一PEDOT:PSS水溶液中PEDOT:PSS的濃度為10-20mg/ml，接著進行第一熱處理，以形成第一復合屏蔽層；

5)接著在所述承載基板上噴涂樹脂材料以形成第一樹脂封裝層，所述第一樹脂封裝層的厚度為30-60微米；

6)接著在所述承載基材上旋涂第二銅納米線懸浮液，其中所述第二銅納米線懸浮液中銅納米線的濃度為5-10mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第二氧化石墨烯分散液，其中所述第二氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的濃度為2-4mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第二PEDOT:PSS水溶液，其中所述第二PEDOT:PSS水溶液中PEDOT:PSS的濃度為5-15mg/ml，接著進行第二熱處理，以形成第二復合屏蔽層；

7)接著在所述承載基板上噴涂樹脂材料以形成第二樹脂封裝層，所述第二樹脂封裝層的厚度為50-100微米；

8)接著在所述承載基材上旋涂第三銅納米線懸浮液，其中所述第三銅納米線懸浮液中銅納米線的濃度為20-30mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第三氧化石墨烯分散液，其中所述第三氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的濃度為5-8mg/ml，接著在所述承載基材上旋涂第三PEDOT:PSS水溶液，其中所述第三PEDOT:PSS水溶液中PEDOT:PSS的濃度為15-25mg/ml，接著進行第三熱處理，以形成第三復合屏蔽層；

9)接著在所述承載基板上形成第三樹脂封裝層。

2.根據權利要求1所述的具有屏蔽結構的半導體封裝的制備方法，其特征在于：在所述步驟1)中，所述半導體管芯的所述傾斜側面與所述半導體管芯的底表面的夾角為10-50度。

3.根據權利要求1所述的具有屏蔽結構的半導體封裝的制備方法，其特征在于：在所述步驟3)中，所述電介質材料為氧化鋯、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁中的一種或多種，通過PECVD、熱氧化、ALD或磁控濺射中的一種或多種形成所述電介質層。

4.根據權利要求1所述的具有屏蔽結構的半導體封裝的制備方法，其特征在于：在所述步驟4)中，所述第一銅納米線懸浮液中銅納米線的直徑為50-100納米，所述第一銅納米線懸浮液中銅納米線的長度為5-10微米，旋涂所述第一銅納米線懸浮液的轉速為1500-2500轉/分鐘，旋涂所述第一氧化石墨烯分散液得轉速為2000-3000轉/分鐘，旋涂所述第一PEDOT:PSS水溶液的轉速為1500-2500轉/分鐘，所述第一熱處理的具體工藝為在100-150℃下熱處理20-30分鐘。

5.根據權利要求1所述的具有屏蔽結構的半導體封裝的制備方法，其特征在于：在所述步驟6)中，所述第二銅納米線懸浮液中銅納米線的直徑為100-200納米，所述第二銅納米線懸浮液中銅納米線的長度為10-15微米，旋涂所述第二銅納米線懸浮液的轉速為2500-3500轉/分鐘，旋涂所述第二氧化石墨烯分散液得轉速為3000-4000轉/分鐘，旋涂所述第二PEDOT:PSS水溶液的轉速為2500-3500轉/分鐘，所述第二熱處理的具體工藝為在110-140℃下熱處理20-30分鐘。