[發明專利]介電陶瓷組合物和包括其的多層陶瓷電容器有效
| 申請號： | 202010371978.4 | 申請日： | 2020-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN112079636B | 公開（公告）日： | 2023-02-03 |
| 發明（設計）人： | 田喜善;杜世翰娜;趙志弘;金慶植 | 申請（專利權）人： | 三星電機株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/12 | 分類號： | H01G4/12;C04B35/468 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 包國菊;金光軍 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷 組合 包括 多層 電容器 | ||
1.一種介電陶瓷組合物，包括：
鈦酸鋇基基體材料主成分和副成分，其中：
所述副成分包含作為第一副成分的Dy和Nd，
基于100mol的所述鈦酸鋇基基體材料主成分的Ti，Nd的含量滿足0.233mol≤Nd≤0.466mol，并且
基于100mol的所述鈦酸鋇基基體材料主成分的Ti，Dy和Nd的總含量小于或等于1.0mol。
2.如權利要求1所述的介電陶瓷組合物，其中，所述第一副成分還包括包含La的氧化物或碳酸鹽。
3.如權利要求1所述的介電陶瓷組合物，其中，基于100mol的所述鈦酸鋇基基體材料主成分的Ti，所述介電陶瓷組合物包含大于或等于0.1mol且小于或等于2.0mol的第二副成分，
其中，所述第二副成分包括包含從由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn組成的組中選擇的至少一種元素的一種或更多種氧化物和/或包含從由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn組成的組中選擇的至少一種元素的一種或更多種碳酸鹽。
4.如權利要求1所述的介電陶瓷組合物，基于100mol的所述鈦酸鋇基基體材料主成分的Ti，所述介電陶瓷組合物還包含大于或等于0.001mol且小于或等于0.5mol的第三副成分，
其中，所述第三副成分包括包含固定價態受主元素Mg的氧化物或碳酸鹽。
5.如權利要求1所述的介電陶瓷組合物，其中，基于100mol的所述鈦酸鋇基基體材料主成分的Ti，所述介電陶瓷組合物包含大于或等于0.001mol且小于或等于4.0mol的第四副成分，
其中，所述第四副成分包括包含Si和Al中的至少一種元素的一種或更多種氧化物或者包含Si的玻璃化合物。
6.一種多層陶瓷電容器，包括：
陶瓷主體，包括介電層以及第一內電極和第二內電極，所述第一內電極和所述第二內電極設置為彼此面對且各介電層介于所述第一內電極和所述第二內電極之間；以及
第一外電極和第二外電極，設置在所述陶瓷主體的外表面上，所述第一外電極電連接到所述第一內電極并且所述第二外電極電連接到所述第二內電極，
其中，所述介電層包含含有介電陶瓷組合物的介電晶粒，
所述介電陶瓷組合物包含鈦酸鋇基基體材料主成分和副成分，
所述副成分包含作為第一副成分的Dy和Nd，
基于100mol的所述鈦酸鋇基基體材料主成分的Ti，Nd的含量滿足0.233mol≤Nd≤0.466mol，并且
基于100mol的所述鈦酸鋇基基體材料主成分的Ti，Dy和Nd的總含量小于或等于1.0mol。
7.如權利要求6所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一副成分還包括包含La的氧化物或碳酸鹽，
其中，La設置在所述介電晶粒的邊界處。
8.如權利要求6所述的多層陶瓷電容器，其中，基于100mol的所述鈦酸鋇基基體材料主成分的Ti，所述介電陶瓷組合物包含大于或等于0.1mol且小于或等于2.0mol的第二副成分，
其中，所述第二副成分包括包含從由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn組成的組中選擇的至少一種元素的一種或更多種氧化物和/或包含從由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn組成的組中選擇的至少一種元素的一種或更多種碳酸鹽。
9.如權利要求6所述的多層陶瓷電容器，其中，基于100mol的所述鈦酸鋇基基體材料主成分的Ti，所述介電陶瓷組合物包含大于或等于0.001mol且小于或等于0.5mol的第三副成分，
其中，所述第三副成分包括包含固定價態受主元素Mg的氧化物或碳酸鹽。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電機株式會社，未經三星電機株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010371978.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
