[發明專利]光罩、觸控模組及其制備方法、電子設備

在審

• 申請號: 202010366921.5
• 申請日: 2020-04-30
• 公開（公告）號: CN111562717A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 田舒韻;張禮冠;許建勇
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲顯示科技有限公司
• 主分類號: G03F1/40
• 分類號: G03F1/40;G06F3/041
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 唐清凱

本發明涉及一種光罩、觸控模組及其制備方法、電子設備，光罩包括阻光區、透光區以及部分透光區，其中：部分透光區突出于阻光區邊緣，以允許部分紫外線透過，部分透光區包括第一部分透光區以及第二部分透光區，第一部分透光區位于阻光區的邊緣，且第一部分透光區的紫外線透過率處處相等，第二部分透光區位于第一部分透光區遠離阻光區的一側，且具有漸變紫外線透過率，部分透光區使得曝光能量較小，僅有表層的干膜在干膜顯影時被顯影，第一部分透光區靠近阻光區，在顯影液侵蝕下形成平滑的過渡，第二部分透光區遠離阻光區，形成開口以便于進行后續蝕刻，并在蝕刻時形成過孔和平滑過渡的ITO線路，改善側蝕及刻蝕過度的現象，提高視覺效果和產品良率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種光罩、觸控模組及其制備方法、電子設備。

背景技術

在顯示技術領域，ITO(氧化銦錫)作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導電性和透明性，包括ITO層的基板以其高導電性和高透明性廣泛應用與各種顯示裝置中。

現有基板中的制備通常采用成膜-遮擋-曝光-顯影-刻蝕-去膜等工藝制備，在基底上形成多層膜層，并在多層膜層上設置光罩，接著使用曝光機的平行紫外光進行曝光以光刻干膜形成所需圖形，并用顯影液清除多余的圖形，然后利用蝕刻液蝕刻掉沒有干膜保護的線路，最后去除多余膜層以得到完整的ITO線路，但是由于用于遮擋紫外線的光罩使用的是紫外線透過率均勻的遮光層，在顯影時干膜會出現斷差，蝕刻時會從斷差處側面蝕刻，造成側蝕現象，影響導電性能和視覺效果，并且為了提高顯示屏傳感器的導電性，ITO(氧化銦錫)的方阻由100Ω變更為70Ω，而ITO方阻的減小使得ITO層更厚，再加上垂直線路的斷差使得ITO線路更為明顯，影響視覺效果，并且斷差容易造成線路斷路不良，影響導電性。

發明內容

基于此，有必要針對現有ITO線路視覺效果較差、產品良率較低的問題，提供一種光罩、觸控模組及其制備方法、電子設備。

一種光罩，包括阻光區、透光區以及部分透光區，其中：

所述部分透光區突出于所述阻光區邊緣，以允許部分紫外線透過，所述部分透光區包括第一部分透光區以及第二部分透光區，所述第一部分透光區位于所述阻光區的邊緣，且所述第一部分透光區的紫外線透過率處處相等，所述第二部分透光區位于所述第一部分透光區遠離所述阻光區的一側，且具有漸變紫外線透過率。

上述技術方案至少具有以下技術效果：透光區對應的干膜在干膜顯影時全部被顯影，顯影時幾乎全部洗掉，并且阻光區對應的干膜未被曝光顯影幾乎全部保留。通過在阻光區的邊緣設置部分透光區，以允許部分紫外線透過，使得在曝光時僅有一部分紫外線透過部分透光區進行曝光，從而使得與部分透光區相對的干膜所獲取的曝光能量較小，僅有表層的干膜在干膜顯影時被顯影。第一部分透光區靠近阻光區并且第一部分透光區的紫外線透過率處處相等，與第一部分透光區相對的干膜在顯影時僅有表層部分被洗掉，在顯影液的侵蝕下形成平滑的過渡，不會出現斷差；具有漸變紫外線透過率的第二部分透光區遠離阻光區，與第二部分透光區相對的干膜在顯影時不同厚度的部分被洗掉，在顯影液的侵蝕下形成開口以便于進行后續蝕刻，使得后續的ITO薄膜蝕刻步驟中開口處對應的ITO薄膜完全被蝕刻，減少殘留造成的短路的風險，平滑過渡干膜殘余蝕刻時形成平滑過渡的ITO線路，從而改善側蝕現象以及刻蝕過度的現象，提高視覺效果，并且減少斷路的風險，提升產品良率。

在其中一個實施例中，所述部分透光區的紫外線透過率為10％-90％。

上述技術方案通過限定部分透光區的紫外線透過率為10％-90％，以使得第一部分透光區的紫外線透過率為10％-90％范圍內的任一固定值，第二部分透光區的紫外線透過率為10％-90％范圍內的任一閾值，從而與部分透光區相對的干膜所獲取的曝光能量較小。

在其中一個實施例中，所述第一部分透光區的紫外線透過率范圍為10％-20％。