[發明專利]觸控模組及其制備方法、電子設備

在審

• 申請號: 202010364731.X
• 申請日: 2020-04-30
• 公開（公告）號: CN111708449A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 田舒韻;張禮冠
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲顯示科技有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉寧

本發明涉及一種觸控模組及其制備方法、電子設備，觸控模組的制造方法包括以下步驟：S301，在基底上依次沉積ITO薄膜以及干膜；S302，利用光罩對干膜進行曝光、顯影，其中，光罩包括阻光區及透光區，透光區自阻光區的邊緣向外采用漸變光強曝光對應的干膜；S303，對未被干膜保護的ITO薄膜進行蝕刻；S304，剝除干膜；通過上述觸控模組的制造方法制備的觸控模組中ITO線路具有平滑坡度，提高視覺效果，并且減少斷路的風險，提升產品良率。因此，通過上述觸控模組的制造方法能夠較為方便快捷地獲得視覺效果較好且產品良率較高的觸控模組。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種觸控模組及其制備方法、電子設備。

背景技術

在顯示技術領域，ITO(氧化銦錫)作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導電性和透明性，包括ITO層的觸控模組以其高導電性和高透明性廣泛應用與各種顯示裝置中。

現有觸控模組中的制備通常采用成膜-遮擋-曝光-顯影-刻蝕-去膜等工藝制備，在基底上形成多層膜層，并在多層膜層上設置光罩，接著使用曝光機的平行紫外光進行曝光以光刻干膜形成所需圖形，并用顯影液清除多余的圖形，然后利用蝕刻液蝕刻掉沒有干膜保護的線路，最后去除多余膜層以得到完整的ITO線路，但是由于用于遮擋紫外線的光罩使用的是紫外線透過率均勻的遮光層，在顯影時干膜會出現斷差，一方面導致蝕刻時會從斷差處側面蝕刻，造成側蝕現象，影響導電性能和視覺效果，另一方面現有ITO(氧化銦錫)的方阻由100Ω變更為70Ω以提高顯示屏傳感器的導電性，而ITO方阻的減小使得ITO層更厚，垂直線路的斷差的存在使得ITO線路更為明顯，影響視覺效果。

發明內容

基于此，有必要針對現有ITO線路視覺效果較差、產品良率較低的問題，提供一種觸控模組及其制備方法、電子設備。

一種觸控模組的制造方法，包括以下步驟：

S301，在基底上依次沉積ITO薄膜以及干膜；

S302，利用光罩對所述干膜進行曝光、顯影，其中，所述光罩包括阻光區及透光區，所述透光區自所述阻光區的邊緣向外采用漸變光強曝光對應的所述干膜；

S303，對未被干膜保護的ITO薄膜進行蝕刻；

S304，剝除干膜。

上述技術方案至少具有以下技術效果：通過S301在基底上依次進行ITO薄膜以及干膜的沉積，干膜用于保護待形成ITO線路的部分ITO薄膜；通過S302利用光罩對干膜進行曝光、顯影，在曝光時透光區自阻光區的邊緣向外采用漸變光強曝光對應的干膜，此時光罩的透光區對應的干膜自阻光區的邊緣向外曝光量逐漸增大，自阻光區的邊緣向外顯影量逐漸增大，被洗掉的干膜厚度逐漸增大，光罩的阻光區對應的干膜幾乎全部保留，在顯影液的侵蝕下形成平滑的過渡，與透光區遠離阻光區的邊緣相對的干膜被洗掉厚度最大，以形成開口；通過S303在開口處添加刻蝕液以對未被干膜保護的ITO薄膜進行蝕刻，在刻蝕液的作用下開口處對應的ITO薄膜完全被蝕刻，平滑過渡的干膜殘余蝕刻時形成平滑過渡的ITO線路，從而改善側蝕現象以及刻蝕過度的現象；通過S304剝除ITO線路上的干膜，以形成所需的觸控模組，此時觸控模組上的ITO線路具有平滑坡度，提高視覺效果，并且減少斷路的風險，提升產品良率。因此，通過上述觸控模組的制造方法能夠較為方便快捷地獲得視覺效果較好且產品良率較高的觸控模組。

在其中一個實施例中，所述透光區包括第一透光區、第二透光區以及第三透光區，其中：

所述第一透光區連接設置于所述阻光區邊緣，所述第一透光區的光強處處相等；

所述第二透過光區位于所述第一透光區遠離所述阻光區的一側，且所述第二透光區采用漸變光強曝光；

所述第三透光區位于所述第二透光區遠離所述第一透光區的一側，所述第三透光區對應的光強大于所述第二透光區的最大光強。