[發明專利]一種防倒灌關斷保護實現電路

在審

• 申請號: 202010363133.0
• 申請日: 2020-04-30
• 公開（公告）號: CN111525536A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 唐清;曾理;李燦;張順彪;陳修林;王富光;曾宏;羅慧;胡丹華
• 申請（專利權）人: 中車株洲電力機車研究所有限公司
• 主分類號: H02H11/00
• 分類號: H02H11/00
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 曾志鵬

本說明書一個或多個實施例提供一種防倒灌關斷保護實現電路，用于控制開關的通斷，開關連接于輸入電壓連接端和輸出電壓連接端之間；防倒灌關斷保護實現電路，包括：開關組件、輔助組件、電阻和電容器；開關組件與開關連接；開關組件通過電阻與電容器連接；電容器通過輔助組件與輸出電壓連接端連接；輔助組件用于防止電容器放電。當輸入電壓連接端的電壓降低時，開關組件導通，關斷開關，防止電流倒灌損害電路，本公開使用獨立的封裝器件，使用場景靈活，適用的工作電壓范圍廣。

技術領域

本說明書一個或多個實施例涉及電路技術領域，尤其涉及一種防倒灌關斷保護實現電路。

背景技術

在供電電路中，尤其是在多電源合路輸出、電池充電等場景下，為了防止電流倒灌，通常需要在電源與負載之間串聯一個開關。當出現倒灌時，需要快速關斷開關，從而避免負載端電壓跌落，損害電路。

開關的快速關斷功能需要控制電路去檢測并實現，現有的技術方案是利用集成芯片組成控制電路來實現防電流倒灌。

但是，一方面，集成芯片的工作電壓范圍有明確的限制，一種情況下，集成芯片要求工作電壓在3.3V以上，此時則不能很好的兼顧3.3V以下的使用場景；另一種情況下，集成芯片能在3.3V電壓以下工作，但是耐壓不高；另一方面，因為集成芯片是以固定的設計集成的，不能根據電路的實際情況做出調整，使用不夠靈活，從而導致使用場景受限。

發明內容

有鑒于此，本說明書一個或多個實施例的目的在于提出一種防倒灌關斷保護實現電路，以解決現有的保護電路使用場景受限的問題。

基于上述目的，本說明書一個或多個實施例提供了一種防倒灌關斷保護實現電路，用于控制第一MOS管的通斷，第一MOS管連接于輸入電壓連接端和輸出電壓連接端之間；防倒灌關斷保護實現電路，包括：開關組件、輔助組件、第一電阻和電容器；開關組件與第一MOS管連接；開關組件通過第一電阻與電容器連接；電容器通過輔助組件與輸出電壓連接端連接；輔助組件用于防止電容器放電。

可選的，第一MOS管為N溝道MOS管。

可選的，第一MOS管的源極與輸入電壓連接端連接，第一MOS管的漏極與輸出電壓連接端連接。

可選的，開關組件為第二MOS管，輔助組件為第一二極管。

可選的，第二MOS管為N溝道MOS管；

第二MOS管的源極與第一MOS管的源極連接，第二MOS管的漏極與第一MOS管的柵極連接，第二MOS管的柵極通過第一電阻和第一二極管與第一MOS管的漏極連接；

第二MOS管的柵極通過第一電阻與電容器連接；

第二MOS管的源極和柵極之間連接有第二電阻。

可選的，開關組件為三極管，輔助組件為第一二極管。

可選的，三極管為PNP型三極管；

三極管的發射極與第一MOS管的源極連接，三極管的集電極與第一MOS管的柵極連接，三極管的基極通過第一電阻和第一二極管與第一MOS管的漏極連接；

三極管的基極通過第一電阻與電容器連接。

可選的，開關組件為三極管，輔助組件為第三電阻。

可選的，三極管為PNP型三極管；

三極管的發射極與第一MOS管的源極連接，三極管的集電極與第一MOS管的柵極連接，三極管的基極通過第一電阻和第三電阻與第一MOS管的漏極連接；

三極管的基極通過第一電阻與電容器連接；

三極管的基極和發射極之間連接有第二二極管。