[發明專利]一種防倒灌關斷保護實現電路

在審

• 申請號: 202010363133.0
• 申請日: 2020-04-30
• 公開（公告）號: CN111525536A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 唐清;曾理;李燦;張順彪;陳修林;王富光;曾宏;羅慧;胡丹華
• 申請（專利權）人: 中車株洲電力機車研究所有限公司
• 主分類號: H02H11/00
• 分類號: H02H11/00
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 曾志鵬

1.一種防倒灌關斷保護實現電路，用于控制第一MOS管的通斷，所述第一MOS管連接于輸入電壓連接端和輸出電壓連接端之間；其特征在于，所述防倒灌關斷保護實現電路，包括：開關組件、輔助組件、第一電阻和電容器；所述開關組件與所述第一MOS管連接；所述開關組件通過所述第一電阻與所述電容器連接；所述電容器通過所述輔助組件與所述輸出電壓連接端連接；所述輔助組件用于防止所述電容器放電。

2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一MOS管為N溝道MOS管。

3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述第一MOS管的源極與所述輸入電壓連接端連接，所述第一MOS管的漏極與所述輸出電壓連接端連接。

4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述開關組件為第二MOS管，所述輔助組件為第一二極管。

5.根據權利要求4所述的電路，其特征在于，包括：

所述第二MOS管為N溝道MOS管；

所述第二MOS管的源極與所述第一MOS管的源極連接，所述第二MOS管的漏極與所述第一MOS管的柵極連接，所述第二MOS管的柵極通過所述第一電阻和所述第一二極管與所述第一MOS管的漏極連接；

所述第二MOS管的柵極通過所述第一電阻與所述電容器連接；

所述第二MOS管的源極和柵極之間連接有第二電阻。

6.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述開關組件為三極管，所述輔助組件為第一二極管。

7.根據權利要求6所述的電路，其特征在于，包括：

所述三極管為PNP型三極管；

所述三極管的發射極與所述第一MOS管的源極連接，所述三極管的集電極與所述第一MOS管的柵極連接，所述三極管的基極通過所述第一電阻和所述第一二極管與所述第一MOS管的漏極連接；

所述三極管的基極通過所述第一電阻與所述電容器連接。

8.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述開關組件為三極管，所述輔助組件為第三電阻。

9.根據權利要求8所述的電路，其特征在于，包括：

所述三極管為PNP型三極管；

所述三極管的發射極與所述第一MOS管的源極連接，所述三極管的集電極與所述第一MOS管的柵極連接，所述三極管的基極通過所述第一電阻和所述第三電阻與所述第一MOS管的漏極連接；

所述三極管的基極通過所述第一電阻與所述電容器連接；

所述三極管的基極和發射極之間連接有第二二極管。

10.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，包括：當所述輸入電壓連接端的電壓降低時，所述開關組件導通，使所述第一MOS管的柵源極電壓由高電平轉為低電平，關斷所述第一MOS管。