[發(fā)明專利]一種瞬態(tài)電壓抑制保護器件、制作工藝及電子產(chǎn)品

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010345922.1
• 申請日: 2020-04-27
• 公開（公告）號: CN111564438A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設計）人: 張富生;許成宗
• 申請（專利權(quán)）人: 上海韋爾半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/082;H01L21/8222;H01L29/06
• 代理公司: 深圳睿臻知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 44684
• 代理人: 張海燕

1.一種瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，包括，襯底，第一阱，第二阱，第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)；

所述第一阱和第二阱依次從左到右相互間隔設置在所述襯底上，所述第一阱和第二阱摻雜類型相同，且分別與所述襯底的摻雜類型相反，所述第一阱和第二阱分別設置有摻雜類型相反的第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)；

所述襯底作為共用集電極，所述第一阱和第二阱分別作為基極，所述第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)分別通過金屬連接作為發(fā)射極引出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱分別與所述襯底之間形成的pn結(jié)的結(jié)深相同，所述第一注入?yún)^(qū)和所述第二注入?yún)^(qū)分別與所述第一阱和第二阱之間形成的pn結(jié)的結(jié)深相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1至2任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱摻雜濃度相同，所述第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)摻雜濃度相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至2任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)分別設置在所述第一阱和第二阱中央位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至2任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱之間間隔距離為5-20um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至2任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述襯底作為集電極的電阻率為30-1500Ω·cm。

7.一種瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，包括，襯底，外延層，第一阱，第二阱，第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)；

所述外延層設置在所述襯底上，所述第一阱和第二阱依次從左到右相互間隔設置在所述外延層上，所述第一阱和第二阱摻雜類型相同，且分別與所述外延層的摻雜類型相反，所述第一阱和第二阱分別設置有摻雜類型相反的第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)；

所述外延層作為共用集電極，所述第一阱和第二阱分別作為基極，所述第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)分別通過金屬連接作為發(fā)射極引出。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱分別與所述外延層之間形成的pn結(jié)的結(jié)深相同，所述第一注入?yún)^(qū)和所述第二注入?yún)^(qū)分別與所述第一阱和第二阱之間形成的pn結(jié)的結(jié)深相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求7至8任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱摻雜濃度相同，所述第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)摻雜濃度相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求9任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述外延層的摻雜濃度小于所述襯底。

11.根據(jù)權(quán)利要求7至8任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述外延層與所述襯底的摻雜類型相同或不同。

12.根據(jù)權(quán)利要求7至8任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)分別設置在所述第一阱和第二阱中央位置。

13.根據(jù)權(quán)利要求7至8任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱之間間隔距離為5-20um。

14.根據(jù)權(quán)利要求7至8任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制保護器件，其特征在于，所述外延層作為集電極的電阻率為30-1500Ω·cm。