[發明專利]帶電粒子束描繪方法以及帶電粒子束描繪裝置

有效

• 申請號: 202010343206.X
• 申請日: 2020-04-27
• 公開（公告）號: CN111913362B
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 安井健一;加藤靖雄
• 申請（專利權）人: 紐富來科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

實施方式涉及帶電粒子束描繪方法以及帶電粒子束描繪裝置。在實施方式的帶電粒子束描繪方法中，計算以第一網格尺寸將基板的描繪區域虛擬分割而得的每個第一網格區域的圖案的面積密度而制作第一網格數據，將所述第一網格數據的網格尺寸轉換為比第一網格尺寸大的第二網格尺寸而制作第二網格數據，進行所述第二網格數據與鄰近效應校正內核的卷積運算，制作第三網格數據，將所述第三網格數據的網格尺寸轉換為所述第一網格尺寸而制作第四網格數據，進行所述第一網格數據與中距離效應校正內核的卷積運算，制作第五網格數據，將所述第四網格數據與所述第五網格數據相加，計算每個所述第一網格區域的帶電粒子束的照射量。

技術領域

本發明涉及帶電粒子束描繪方法以及帶電粒子束描繪裝置。

背景技術

隨著LSI的高集成化，半導體器件所要求的電路線寬逐年微細化。為了對半導體器件形成所希望的電路圖案，采用了如下方法：使用縮小投影型曝光裝置，將光掩模的圖案縮小轉印到晶片上。高精度的原始圖案通過電子束描繪裝置來描繪，使用了所謂的電子束光刻技術。

在電子束描繪中，因后方散射電子而產生圖案的尺寸變動的所謂鄰近效應的影響成為問題。作為校正鄰近效應的方法之一，已知有照射量校正法。該校正方法為，基于射束照射位置的周邊圖案的尺寸、疏密，按照每個位置決定照射量。

在照射量校正中，對向光掩模照射的電子束在掩模反射、并將抗蝕劑再次曝光而產生的后方散射照射量進行計算。該計算使用例如以幾μm見方的網格表現布局內的圖案信息的圖案密度圖與作為后方散射分布函數的高斯核的乘積和(卷積)而高速化。

鄰近效應的影響范圍為10μm左右，照射量校正中的計算網格尺寸是幾μm左右。除此之外，近年來，對影響范圍為幾百nm～幾μm左右的EUV基板固有的后方散射或工序所引起的線寬錯誤進行校正的中距離效應校正的必要性提高。如圖9所示，中距離效應校正能夠通過對以往的鄰近效應校正方法追加中距離效應的內核(kernel)來進行。

鄰近效應與中距離效應的影響范圍的大小接近，若將它們分開而分別計算，則會導致校正精度的惡化，因此需要考慮到彼此來計算。中距離效應校正中的計算網格尺寸為幾百nm左右，但若使用幾百nm左右的網格尺寸而對10μm左右的內核進行卷積，則計算量變得龐大，難以在實用的時間內進行計算處理。

發明內容

實施方式提供能夠高效地進行鄰近效應校正以及中距離效應校正的計算處理的帶電粒子束描繪方法以及帶電粒子束描繪裝置。

本發明的一方式的帶電粒子束描繪方法，使用對鄰近效應以及影響半徑小于鄰近效應的中距離效應進行校正的照射量的帶電粒子束，對基板描繪圖案，該帶電粒子束描繪方法具備如下工序：以第一網格尺寸將所述基板的描繪區域虛擬分割為多個第一網格區域；計算每個所述第一網格區域的圖案的面積密度，制作第一網格數據；將所述第一網格數據的網格尺寸轉換為比所述第一網格尺寸大的第二網格尺寸而制作第二網格數據；進行所述第二網格數據與鄰近效應校正內核的卷積運算，制作第三網格數據；將所述第三網格數據的網格尺寸轉換為所述第一網格尺寸而制作第四網格數據；進行所述第一網格數據與中距離效應校正內核的卷積運算，制作第五網格數據；將所述第四網格數據與所述第五網格數據相加，計算每個所述第一網格區域的帶電粒子束的照射量；以及使用該計算出的照射量的帶電粒子束，對所述基板描繪圖案。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式的電子束描繪裝置的概略圖。

圖2是第一成形孔徑板以及第二成形孔徑板的立體圖。

圖3是說明該實施方式的描繪方法的流程圖。

圖4的(a)、圖4的(b)是表示網格轉換的例子的圖。

圖5是表示網格尺寸與處理時間的關系的例子的曲線圖。

圖6是表示進行了中距離效應校正的情況下與未進行中距離效應校正的情況下的圖案尺寸的偏離量的例子的曲線圖。