[發明專利]LED陣列轉移裝置及LED陣列轉移方法在審
| 申請號: | 202010340000.1 | 申請日: | 2020-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN111508888A | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發明(設計)人: | 向昌明 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 陣列 轉移 裝置 方法 | ||
1.一種LED陣列轉移裝置,其特征在于,包括:
一轉移基板;
一磁性發生器,其設置于所述轉移基板的下表面,用于產生磁場;
一磁性屏蔽層,其設置于所述轉移基板的上表面,所述磁性屏蔽層開設有多個通孔,所述通孔的形狀與待轉移的LED單體的形狀適配,所述通孔中用于填充磁性吸附液,以所述磁性發生器吸附所述磁性吸附液從而通過所述磁性吸附液吸附放置于其中的LED單體。
2.根據權利要求1所述的LED陣列轉移裝置,其特征在于,還包括上料轉印板,其設于所述轉移基板移動方向上的起始端,以用于將多個LED單體自原始基板上轉移至所述轉移基板上。
3.根據權利要求2所述的LED陣列轉移裝置,其特征在于,還包括:
設置于所述轉移基板上方的檢測組件,檢測組件用于檢測所述LED單體在所述轉移基板上是否對齊;
以及設置所述基板上方的取料組件,用于將未對齊的LED單體取走。
4.根據權利要求3所述的LED陣列轉移裝置,其特征在于,還包括:
設置于所述轉移基板的移動方向上的末端的補料轉印板,用于在被取走LED單體的位置補放一個LED單體。
5.根據權利要求1所述的LED陣列轉移裝置,其特征在于,所述多個通孔呈矩形陣列均勻間隔分布。
6.根據權利要求1所述的LED陣列轉移裝置,其特征在于,所述磁性屏蔽層為CNTs/GO層。
7.根據權利要求1所述的LED陣列轉移裝置,其特征在于,所述轉移基板上開設有多個凹槽,所述多個凹槽分別與所述多個通孔一一對應,每一所述凹槽與對應所述通孔正對且連通。
8.根據權利要求1所述的LED陣列轉移裝置,其特征在于,所述磁性發生器為電磁鐵發生器。
9.一種LED陣列轉移方法,其特征在于,采用權利要求1-8任一項所述LED陣列轉移裝置,所述方法包括以下步驟:
提供一LED陣列板,所述LED陣列板包括第一基板以及呈陣列分布于所述第一基板上的多個LED單體,LED單體的底面與所述第一基板相接;
在每一所述LED單體的頂面添加磁性吸附液;
將用所述LED陣列轉移裝置的磁性屏蔽層的多個通孔與所述多個LED單體一一對齊,并打開所述LED陣列轉移裝置的磁性發生器,以將所述多個LED單體一一對應地吸附在所述多個通孔中;
利用所述LED陣列轉移裝置將所述多個LED單體移動至目標電路板上的對應位置并關閉所述磁性發生器,以使得所述多個LED單體轉移到目標電路板上的對應位置。
10.根據權利要求9所述的LED陣列轉移方法,其特征在于,在所述將用所述LED陣列轉移裝置的磁性屏蔽層的多個通孔與所述多個LED單體一一對齊,并打開所述LED陣列轉移裝置的磁性發生器,以將所述多個LED單體一一對應地吸附在所述多個通孔中時:
利用上料轉印板將所述陣列基板上的多個LED單體轉印至所述LED陣列轉移裝置上的多個通孔中。
11.根據權利要求10所述的LED陣列轉移方法,其特征在于,所述方法還包括:
采用檢測組件檢測所述LED單體在所述轉移基板上是否對齊;
采用取料組件將未對齊的LED單體取走。
12.根據權利要求11所述的LED陣列轉移方法,其特征在于,所述方法還包括:
采用補料轉印板在被取走LED單體的位置補放一個LED單體。
13.根據權利要求9所述的LED陣列轉移方法,其特征在于,所述在每一所述LED單體的頂面添加磁性吸附液的步驟包括:
在每一所述LED單體的頂面上分別涂布磁性吸附液。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TCL華星光電技術有限公司,未經TCL華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010340000.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





