[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器堆疊在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010338625.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112447903A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李東穎;余紹銘;林毓超 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L45/00 | 分類號(hào): | H01L45/00 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 薛恒;王琳 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ)器 堆疊 | ||
1.一種存儲(chǔ)器堆疊,包括:
底部電極層、頂部電極層以及位于所述底部電極層與所述頂部電極層之間的相變層,
其中所述頂部電極層的寬度大于所述相變層的寬度,且未被所述相變層覆蓋的所述頂部電極層的第一部分比被所述相變層覆蓋的所述頂部電極層的第二部分更粗糙。
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