[發明專利]一種NVDIMM兼容超級電容的方法及裝置

有效

• 申請號: 202010332966.0
• 申請日: 2020-04-24
• 公開（公告）號: CN111522424B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 呂晶
• 申請（專利權）人: 西安紫光國芯半導體有限公司
• 主分類號: G06F1/30
• 分類號: G06F1/30;H02J9/06;H02J7/34
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 劉杰

本發明公開一種NVDIMM兼容超級電容的方法，NVDIMM提供了用于連接超級電容的統一的物理接口和電氣接口，進而，如果需要對目標超級電容對其進行正常供電，可以按預設通信協議發送超級電容查詢指令至目標超級電容，其中，物理接口和電氣接口的數據傳輸按該預設通信協議定義。這樣，目標超級電容也可以基于預設通信協議反饋與超級電容查詢指令對應的電容參數。進而，通過該電容參數，可以按對應的方式對目標超級電容進行控制，使之對NVDIMM正常供電。所以，NVDIMM能夠兼容不同類型的超級電容，即不同類型的超級電容均可以對其正常供電，NVDIMM無需按超級電容的類型去選型，使得配置更靈活。

技術領域

本發明涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種NVDIMM兼容超級電容的方法、裝置及計算機存儲介質。

背景技術

非易失性雙列直插式內存(non-volatile dual in-line memory module，NVDIMM)是一種非易失的內存，在主板異常掉電時通過備用電源供電將隨機存取存儲器(Random Access Memory，RAM)中的數據保存到計算機閃存存儲器NAND Flash中，達到數據不丟失的目的。NVDIMM的備用電源一般為超級電容。隨著NVDIMM的普及，為了滿足客戶不同使用場景和服務器內部空間的要求，必須提供多種形態的超級電容。由于不同形態的超級電容在電容介質、充電電壓、電流、容量上的不同，NVDIMM對超級電容的控制策略上也會有差異。目前，主流做法是通過不同的NVDIMM來匹配不同的超級電容，造成配置不夠靈活。

發明內容

鑒于上述問題，提出了本發明以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的NVDIMM兼容超級電容的方法、裝置及計算機存儲介質。

第一方面，本實施例提供一種NVDIMM兼容超級電容的方法，應用于NVDIMM，所述NVDIMM提供用于連接超級電容的統一的物理接口和電氣接口，包括：

按預設通信協議發送超級電容查詢指令至目標超級電容，其中，NVDIMM與超級電容間的數據傳輸按所述預設通信協議定義，所述超級電容查詢指令攜帶所述目標超級電容的地址信息；

接收所述目標超級電容基于所述預設通信協議反饋的與所述超級電容查詢指令對應的電容參數；

基于所述電容參數，對所述目標超級電容進行控制。

可選的，所述預設通信協議包括NVDIMM讀取超級電容的參數的讀協議，所述按預設通信協議發送超級電容查詢指令至目標超級電容，包括：

按所述讀協議將待查詢的電容參數寫入所述目標超級電容，在所述目標超級電容確認后，向所述目標超級電容發送讀信號，以使得所述目標超級電容在接收所述讀信號后向所述NVDIMM反饋與所述待查詢的電容參數對應的電容參數。

可選的，所述待查詢的電容參數至少包括：超級電容類型、超級電容供電開關、超級電容工作狀態、輸入電壓門限、充電電壓、超級電容電量、低電壓報警門限、電量測量周期、輸出電壓門限、電容異常中斷上報使能、電容異常中斷清除、超級電容溫度中的任意一種或其組合。

可選的，所述讀協議按照處理順序依次設置有攜帶所述目標超級電容的地址信息的字段、攜帶所述電容查詢指令的字段、攜帶所述目標超級電容反饋的與所述超級電容查詢指令對應的電容參數的字段。

可選的，所述預設通信協議包括NVDIMM寫入超級電容的配置參數的寫協議，所述基于所述電容參數，對所述目標超級電容進行控制，包括：

基于所述電容參數，按所述寫協議將待寫入參數寫入所述目標超級電容，在所述目標超級電容確認后，向所述目標超級電容寫入與所述待寫入參數對應的數據，以使得所述目標超級電容按與所述待寫入參數對應的數據運行。