[發明專利]一種NVDIMM兼容超級電容的方法及裝置

有效

• 申請號: 202010332966.0
• 申請日: 2020-04-24
• 公開（公告）號: CN111522424B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 呂晶
• 申請（專利權）人: 西安紫光國芯半導體有限公司
• 主分類號: G06F1/30
• 分類號: G06F1/30;H02J9/06;H02J7/34
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 劉杰

1.一種NVDIMM兼容超級電容的方法，應用于NVDIMM，其特征在于，所述NVDIMM提供用于連接超級電容的統一的物理接口和電氣接口，包括：

按預設通信協議發送超級電容查詢指令至目標超級電容，其中，NVDIMM與超級電容間的數據傳輸按所述預設通信協議定義，所述超級電容查詢指令攜帶所述目標超級電容的地址信息；

接收所述目標超級電容基于所述預設通信協議反饋的與所述超級電容查詢指令對應的電容參數；

基于所述電容參數，對所述目標超級電容進行控制，包括：基于所述電容參數，確定與所述目標超級電容對應的管理策略，其中，所述管理策略包括電源健康檢測策略、充放電管理策略和電源更新策略中的任意一種或多種組合；按所述管理策略對所述目標超級電容進行控制。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設通信協議包括NVDIMM讀取超級電容的參數的讀協議，所述按預設通信協議發送超級電容查詢指令至目標超級電容，包括：

按所述讀協議將待查詢的電容參數寫入所述目標超級電容，在所述目標超級電容確認后，向所述目標超級電容發送讀信號，以使得所述目標超級電容在接收所述讀信號后向所述NVDIMM反饋與所述待查詢的電容參數對應的電容參數。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述待查詢的電容參數至少包括：超級電容類型、超級電容供電開關、超級電容工作狀態、輸入電壓門限、充電電壓、超級電容電量、低電壓報警門限、電量測量周期、輸出電壓門限、電容異常中斷上報使能、電容異常中斷清除、超級電容溫度中的任意一種或其組合。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述讀協議按照處理順序依次設置有攜帶所述目標超級電容的地址信息的字段、攜帶所述電容查詢指令的字段、攜帶所述目標超級電容反饋的與所述超級電容查詢指令對應的電容參數的字段。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設通信協議包括NVDIMM寫入超級電容的配置參數的寫協議，所述基于所述電容參數，對所述目標超級電容進行控制，包括：

基于所述電容參數，按所述寫協議將待寫入參數寫入所述目標超級電容，在所述目標超級電容確認后，向所述目標超級電容寫入與所述待寫入參數對應的數據，以使得所述目標超級電容按與所述待寫入參數對應的數據運行。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述待寫入參數至少包括：超級電容供電開關、輸入電壓門限、充電電壓、低電壓報警門限、電量測量周期、輸出電壓門限、電容異常中斷上報使能、電容異常中斷清除中的任意一種或其組合。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述寫協議按照處理順序依次設置有攜帶所述目標超級電容的地址信息的字段、攜帶所述待寫入參數的字段、攜帶與所述待寫入參數對應的數據的字段。

8.如權利要求1-7中任一權利要求所述的方法，其特征在于，所述NVDIMM與所述目標超級電容間采用系統管理總線進行數據傳輸，數據傳輸的數據域為4個字節長度。

9.一種NVDIMM兼容超級電容的裝置，應用于NVDIMM，其特征在于，所述NVDIMM提供用于連接超級電容的統一的物理接口和電氣接口，包括：

發送單元，用于按預設通信協議發送超級電容查詢指令至目標超級電容，其中，NVDIMM與超級電容間的數據傳輸按所述預設通信協議定義，所述超級電容查詢指令攜帶所述目標超級電容的地址信息；

接收單元，用于接收所述目標超級電容基于所述預設通信協議反饋的與所述超級電容查詢指令對應的電容參數；

控制單元，用于基于所述電容參數，對所述目標超級電容進行控制，包括：基于所述電容參數，確定與所述目標超級電容對應的管理策略，其中，所述管理策略包括電源健康檢測策略、充放電管理策略和電源更新策略中的任意一種或多種組合；按所述管理策略對所述目標超級電容進行控制。