[發明專利]OLED顯示面板

在審

• 申請號: 202010332912.4
• 申請日: 2020-04-24
• 公開（公告）號: CN111524938A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 趙舒寧;林振國
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本發明提供的OLED顯示面板包括基板,以及設置于所述基板上的TFT器件的柵極、有源層、源極、漏極以及OLED器件的陽極，其中，所述源極、所述漏極以及所述陽極同層制備，且所述陽極與所述源極相連；將源極、漏極與陽極同層設置，一道工序同時形成源極、漏極和陽極，從而簡化制備工藝，節省成本。

技術領域

本發明涉及OLED顯示技術領域，尤其涉及一種OLED顯示面板。

背景技術

現有OLED顯示面板中，源極、漏極和陽極是通過兩步工序以及兩個掩膜板分別形成的，通過兩個掩膜板形成源極、漏極和陽極增加了生產成本，同時也需要更多的生產時間，因此，現有OLED顯示面板存在需要使用多個掩膜板的技術問題。

發明內容

本發明實施例提供一種OLED顯示面板，可緩解現有OLED顯示面板存在需要使用多個掩膜板的技術問題。

本發明實施例提供一種OLED顯示面板，包括：

基板,以及設置于所述基板上的TFT器件的柵極、有源層、源極、漏極以及OLED器件的陽極；

其中，所述源極、所述漏極以及所述陽極同層制備，且所述陽極與所述源極相連。

在本發明實施例提供的OLED顯示面板中，所述TFT器件還包括：

柵絕緣層，所述柵絕緣層至少覆蓋所述柵極，所述有源層設置于所述柵絕緣層上；

鈍化層，所述鈍化層設置于所述柵絕緣層上，所述鈍化層覆蓋所述有源層；

平坦化層，所述平坦化層設置于所述鈍化層上；

源極通孔，所述源極通孔貫穿所述鈍化層、所述平坦化層至所述有源層的第一摻雜區，所述源極設置于所述平坦化層上表面，所述源極通過所述源極通孔連接所述第一摻雜區；

漏極通孔，所述漏極通孔貫穿所述鈍化層、所述平坦化層至所述有源層的第二摻雜區，所述漏極設置于所述平坦化層表面，所述漏極通過所述漏極通孔連接所述第二摻雜區。

在本發明實施例提供的OLED顯示面板中，所述源極通過所述源極通孔與所述有源層的第一摻雜區觸接，所述漏極通過所述漏極通孔與所述有源層的第二摻雜區觸接，其中，所述源極包括設置在所述刻蝕阻擋層上方的源極第一部分以及設置在源極通孔內的源極第二部分，所述漏極包括設置在所述刻蝕阻擋層上方的漏極第一部分以及設置在漏極通孔內的漏極第二部分。

在本發明實施例提供的OLED顯示面板中，所述有源層設置在柵絕緣層上，所述源極第二部分與所述第一摻雜區的側面觸接，所述觸接部分的所述源極第二部分設置在所述柵絕緣層上。

在本發明實施例提供的OLED顯示面板中，所述有源層設置在柵絕緣層上，所述漏極第二部分與所述第二摻雜區的側面觸接，所述觸接部分的所述漏極第二部分設置在所述柵絕緣層上。

在本發明實施例提供的OLED顯示面板中，所述有源層包括溝道區以及位于所述溝道區兩端的所述第一摻雜區和所述第二摻雜區，所述第一摻雜區的所述有源層在所述基板上的正投影面積等于所述第二摻雜區的所述有源層在所述基板上的正投影面積。

在本發明實施例提供的OLED顯示面板中，所述有源層的制備材料為銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵錫氧化物或銦鎵鋅錫氧化物中的至少一種。

在本發明實施例提供的OLED顯示面板中，所述源極、所述漏極以及所述陽極的厚度為500埃～10000埃間的任一值。

在本發明實施例提供的OLED顯示面板中，所述源極、所述漏極以及所述陽極為單層結構，所述源極、所述漏極以及所述陽極的制備材料為鉬、鋁、銅、鈦中的任一種。