[發明專利]OLED顯示面板

在審

• 申請號: 202010332912.4
• 申請日: 2020-04-24
• 公開（公告）號: CN111524938A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 趙舒寧;林振國
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括：

基板,以及設置于所述基板上的TFT器件的柵極、有源層、源極、漏極以及OLED器件的陽極；

其中，所述源極、所述漏極以及所述陽極同層制備，且所述陽極與所述源極相連。

2.根據權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述TFT器件還包括：

柵絕緣層，所述柵絕緣層至少覆蓋所述柵極，所述有源層設置于所述柵絕緣層上；

鈍化層，所述鈍化層設置于所述柵絕緣層上，所述鈍化層覆蓋所述有源層；

平坦化層，所述平坦化層設置于所述鈍化層上；

源極通孔，所述源極通孔貫穿所述鈍化層、所述平坦化層至所述有源層的第一摻雜區，所述源極設置于所述平坦化層上表面，所述源極通過所述源極通孔連接所述第一摻雜區；

漏極通孔，所述漏極通孔貫穿所述鈍化層、所述平坦化層至所述有源層的第二摻雜區，所述漏極設置于所述平坦化層表面，所述漏極通過所述漏極通孔連接所述第二摻雜區。

3.如權利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述源極通過所述源極通孔與所述有源層的第一摻雜區觸接，所述漏極通過所述漏極通孔與所述有源層的第二摻雜區觸接，其中，所述源極包括設置在所述刻蝕阻擋層上方的源極第一部分以及設置在源極通孔內的源極第二部分，所述漏極包括設置在所述刻蝕阻擋層上方的漏極第一部分以及設置在漏極通孔內的漏極第二部分。

4.如權利要求3所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述有源層設置在柵絕緣層上，所述源極第二部分與所述第一摻雜區的側面觸接，所述觸接部分的所述源極第二部分設置在所述柵絕緣層上。

5.如權利要求3所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述有源層設置在柵絕緣層上，所述漏極第二部分與所述第二摻雜區的側面觸接，所述觸接部分的所述漏極第二部分設置在所述柵絕緣層上。

6.如權利要求3所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述有源層包括溝道區以及位于所述溝道區兩端的所述第一摻雜區和所述第二摻雜區，所述第一摻雜區的所述有源層在所述基板上的正投影面積等于所述第二摻雜區的所述有源層在所述基板上的正投影面積。

7.如權利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述有源層的制備材料為銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵錫氧化物或銦鎵鋅錫氧化物中的至少一種。

8.如權利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述源極、所述漏極以及所述陽極的厚度為500?！?0000埃間的任一值。

9.如權利要求8所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述源極、所述漏極以及所述陽極為單層結構，所述源極、所述漏極以及所述陽極的制備材料為鉬、鋁、銅、鈦中的任一種。

10.如權利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述源極、所述漏極以及所述陽極為多層結構，所述源極、所述漏極以及所述陽極的制備材料為鉬/鋁/鉬、鋁/鉬、鉬/銅、鉬鈦/銅中的任一種。