[發(fā)明專利]電子封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010332486.4
• 申請(qǐng)日: 2020-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN111952256B
• 公開（公告）日: 2023-02-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇耀群;徐志榮;林儀柔;彭逸軒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/488;H01L23/485
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

本發(fā)明公開一種電子封裝，包括：矩形的封裝基板；芯片封裝，包括第一高速接口電路晶粒，所述芯片封裝安裝在所述封裝基板的頂表面上，其中所述芯片封裝相對(duì)于所述封裝基板在垂直于所述頂表面的垂直軸上方具有旋轉(zhuǎn)偏移角；以及金屬環(huán)，安裝在所述封裝基板的頂表面上。這樣使芯片封裝相應(yīng)位置的焊盤連接到封裝基板上的焊球的連接線路的距離更短，從而減少信號(hào)扭曲，并且可以顯著改善電子封裝的信號(hào)延遲以及SerDes電路的電性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電子封裝。

背景技術(shù)

通常，數(shù)據(jù)通訊網(wǎng)絡(luò)(data communication network)包括多個(gè)通信設(shè)備以及用于將通信設(shè)備互連或聯(lián)網(wǎng)的連接基礎(chǔ)設(shè)施(infrastructure)或媒介(medium)。通信設(shè)備可以包括嵌入式控制器。通信設(shè)備可以與配置為以每秒千兆位(Gigabit-per-second，Gbps)數(shù)據(jù)速率(例如56Gbps或112Gbps)運(yùn)轉(zhuǎn)的高速模擬串行(serial)數(shù)據(jù)接口(interface)或端口(port)連接。串行數(shù)據(jù)接口根據(jù)已知的數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行配置。連接基礎(chǔ)設(shè)施能夠與此類高速模擬串行數(shù)據(jù)接口進(jìn)行相互聯(lián)絡(luò)。

電子系統(tǒng)中高速串行通信鏈路的使用持續(xù)增長。如本領(lǐng)域中已知的，高速數(shù)據(jù)鏈接(data link)通過傳輸線(transmission line)將數(shù)據(jù)從一個(gè)位置傳輸?shù)搅硪晃恢谩＿@些數(shù)據(jù)鏈接可以包括以并行(parallel)格式接收數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行格式以進(jìn)行高速傳輸?shù)拇衅?解串器(即Serializer/Deserializer，SerDes)數(shù)據(jù)鏈接。SerDes數(shù)據(jù)鏈接可以是通信系統(tǒng)中底板(backplane)的一部分。

然而，包含SerDes電路的用于高數(shù)據(jù)通訊應(yīng)用的先前技術(shù)芯片封裝通常遭受由于信號(hào)扭曲(signal skew)或信號(hào)延遲(signal delay)引起的所謂的SerDes損耗(loss)，這反過來又使芯片封裝的電性能惡化。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種電子封裝，減少信號(hào)扭曲或信號(hào)延遲，改善芯片封裝的電性能。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，公開一種電子封裝，包括：

矩形的封裝基板；

芯片封裝，包括第一高速接口電路晶粒，所述芯片封裝安裝在所述封裝基板的頂表面上，其中所述芯片封裝相對(duì)于所述封裝基板在垂直于所述頂表面的垂直軸上方具有旋轉(zhuǎn)偏移角；以及

金屬環(huán)，安裝在所述封裝基板的頂表面上。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，公開一種電子封裝，包括：

矩形的封裝基板；

芯片封裝，包括第一高速接口電路晶粒，所述芯片封裝安裝在所述封裝基板的頂表面上，其中所述第一高速接口電路晶粒在垂直于所述頂表面的垂直軸上方旋轉(zhuǎn)偏移角相對(duì)于所述封裝基板旋轉(zhuǎn)；以及

金屬環(huán)，安裝在封裝基板頂表面上。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，公開一種電子封裝，包括：

矩形的封裝基板；

芯片封裝，包括第一高速接口電路晶粒，所述芯片封裝安裝在所述封裝基板的頂表面上，其中所述第一高速接口電路晶粒在垂直于頂表面的垂直軸上方旋轉(zhuǎn)偏移角相對(duì)于所述封裝基板旋轉(zhuǎn)；

金屬環(huán)，安裝在所述封裝基板的頂面上；以及

至少一個(gè)去耦電容器，位于所述封裝基板的角部，其中，所述去耦電容器相對(duì)于封裝基板在垂直于頂表面的垂直軸上方旋轉(zhuǎn)偏移角旋轉(zhuǎn)。