[發明專利]一種電致變色薄膜及其制備方法和應用有效
| 申請號: | 202010331408.2 | 申請日: | 2020-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN111334771B | 公開(公告)日: | 2021-04-27 |
| 發明(設計)人: | 胡明;王德生;姜棟;伏彥龍;高曉明;孫嘉奕;翁立軍 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘭州化學物理研究所 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58;C03C17/09 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人: | 馬小星 |
| 地址: | 730000 甘*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 變色 薄膜 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種電致變色薄膜的制備方法,包括以下步驟:
(1)采用磁控濺射方法在基片表面沉積金屬M,在基片表面得到金屬薄膜;其中M為金屬釩或鈮;所述金屬薄膜的厚度為0.1~0.5μm;
(2)采用高能原子氧束流輻照所述金屬薄膜,得到電致變色薄膜;所述高能原子氧束流通量為1012~1017atoms/cm2/s,高能原子氧束流能量為4~10eV,輻照時間為60~180min。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述(1)磁控濺射方法中靶材的材質為金屬釩或鈮,所述靶材的純度≥99.9%;靶材表面與基片表面之間的法線夾角≤20°;靶材表面的中心與基片表面中心連線距離為30~120mm。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述(1)中磁控濺射方法的工作氣體為氬氣,氣體分壓為0.1~5.0Pa,靶功率密度為0.03~0.09W/mm2,工件偏壓為0~-300V,薄膜沉積時間為5~20min。
4.權利要求1~3任一項所述方法制備得到的電致變色薄膜,其特征在于,所述電致變色薄膜的成分為V2O5或Nb2O5。
5.根據權利要求4所述的電致變色薄膜,其特征在于,所述電致變色薄膜的厚度為100~500nm。
6.權利要求4或5所述電致變色薄膜在光電材料領域中的應用。
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