[發明專利]具有汲取管的化學源容器

在審

• 申請號: 202010330995.3
• 申請日: 2020-04-24
• 公開（公告）號: CN111910174A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: A.M.耶德納克三世;T.R.鄧恩
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

公開了一種化學容器，所述化學容器包括布置在結合到化學容器的殼體中的細長沉孔中的汲取管和液位傳感器管。化學容器可以構造成允許進行推回程序，由此化學容器中的液體液位降低到汲取管在汲取管內部或汲取管底部處沒有液體的點。一旦汲取管沒有液體，則可使用真空源來吹掃化學容器內的蒸氣，而沒有損壞真空源的風險。

技術領域

本公開大體上涉及一種用于處理半導體晶片的設備。更具體地，本公開涉及一種設備中的容器，用于從液體源提供汽化的氣體前體，該液體源用于在例如原子層沉積(ALD)工藝、化學氣相沉積(CVD)工藝，或外延沉積工藝中將膜沉積在半導體晶片上。

背景技術

在膜沉積系統中，氣體在半導體晶片上流動，由此氣體可與其它氣態前體反應以便形成特定膜。氣體可以由容器中的蒸發液體產生。

容器可以包括再填充管線以確保容器具有提供必需量的氣態前體所需的足夠量的液體源。容器可以填充有附接到汲取管的入口閥。容器還可以具有出口閥，氣體或液體可以通過該出口閥離開容器。這樣的容器的實例可能在標題為“用于化學氣相沉積的試劑供應容器(Reagent Supply Vessel for Chemical Vapor Deposition)”的美國專利號6,077,356中公開，該專利以引用的方式并入本文中。容器可包含汲取管以及液位傳感器。

圖1中示出了本領域已知的化學容器100。化學容器100包括容器殼體110、液位傳感器管120、多個液位傳感器130A-130D、汲取管140、閥150以及氣體或真空源160。在容器殼體110內，形成凹口170。化學容器100可以用于存儲液體化學物質，所述液體化學物質隨后可以汽化成氣體以用于膜沉積過程。

多個液位傳感器130A-130D可位于沿著液位傳感器管120的特定點處，以指示容器殼體110內部的液體處于特定液位。例如，液位傳感器130A的讀數可以指示容器殼體110內的液體處于75％液位，液位傳感器130B的讀數可以指示容器殼體110內的液體處于65％液位，液位傳感器130C的讀數可以指示容器殼體110內的液體處于15％的液位，并且液位傳感器130D的讀數可以指示容器殼體110內的液體處于10％的液位。

液位傳感器管120可以延伸到凹口170中，但汲取管140不延伸到凹口中。因為汲取管140不延伸到凹口170中，所以在真空或氣體源160推動液體向下通過汲取管140之后，這可能導致容器中有大量液體。

另外，與汲取管相同管線的再填充管線(連同附接到容器的其它管線和管)可能經歷通過施加輸入氣體和真空來移除液體源的過程。當施加真空時，需要確保汲取管不含此管內部和下方的任何液體，因為汲取管中的任何液體的存在將導致液體流過泵。然后，泵可能會受損，并給操作人員造成安全問題。

因此，需要一種用于處理半導體晶片的容器，其防止容器中的液體通過汲取管抽回。另外，還需要一種用于驗證液位在汲取管下方的方法。

發明內容

根據本發明的一個實施例，公開了一種用于提供化學前體的化學容器，所述化學前體用于將半導體膜沉積在襯底上。所述化學容器包括：容器殼體；內置于容器殼體的底部中的沉孔；從容器殼體頂部基本上延伸到沉孔中的液位傳感器管，液位傳感器管包括指示容器殼體內的化學前體液位的多個液位傳感器；從容器殼體的頂部基本延伸到沉孔的頂部的汲取管；聯接到汲取管的真空源；以及將真空源連接到汲取管的真空閥；其中所述真空源構造為從容器殼體移除化學前體的蒸氣。

提供此發明內容來以簡化形式介紹一系列概念。下文在本公開的實例實施例的詳細描述中更詳細地描述這些概念。此發明內容并非旨在標識所要求的主題的關鍵特征或基本特征，也并非旨在用于限制所要求的主題的范圍。

附圖說明

下文將參照某些實施例的圖式來描述本文中所公開的本發明的這些和其它特征、方面和優勢，所述實施例意圖說明而不是限制本發明。