[發明專利]具有汲取管的化學源容器

在審

• 申請號: 202010330995.3
• 申請日: 2020-04-24
• 公開（公告）號: CN111910174A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: A.M.耶德納克三世;T.R.鄧恩
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種用于提供化學前體的化學容器，所述化學前體用于將半導體膜沉積在襯底上，所述化學容器包括：

容器殼體；

內置于所述容器殼體的底部中的沉孔；

從所述容器殼體的頂部基本上延伸到所述沉孔中的液位傳感器管，所述液位傳感器管包括指示所述容器殼體內的化學前體液位的多個液位傳感器；

從所述容器殼體的頂部基本上延伸到所述沉孔的頂部的汲取管；

聯接到所述汲取管的真空源；以及

將所述真空源連接到所述汲取管的真空閥；

其中所述真空源構造成從所述容器殼體移除所述化學前體的蒸氣。

2.根據權利要求1所述的化學容器，其中所述沉孔成形為矩形、圓形或橢圓形中的至少一者。

3.根據權利要求1所述的化學容器，其中所述多個液位傳感器設置在所述液位傳感器管上的不同位置處。

4.根據權利要求1所述的化學容器，其還包括反應室閥，所述反應室閥構造成將汽化的化學前體發送到反應室。

5.根據權利要求1所述的化學容器，其還包括聯接到氣體源的入口閥。

6.根據權利要求1所述的化學容器，其還包括液位傳感器端口，所述液位傳感器管聯接到所述液位傳感器端口。

7.一種操作根據權利要求1所述的化學容器的方法，所述方法包括：

引發所述化學前體推回到外部液體化學前體源；

將所述化學前體的液位降低到第一液位傳感器；

將所述化學前體的液位降低到所述汲取管下方；以及

將所述化學前體的蒸氣吹掃到所述真空源。

8.一種用于將半導體膜沉積在襯底上的反應系統，所述反應系統包括：

根據權利要求1所述的化學容器；

反應室；以及

構造成保持至少一個襯底的襯底保持器。