[發(fā)明專利]一種基于三層微芯片檢測的LAMP檢測芯片及其控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010330178.8 | 申請日: | 2020-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN111363664B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 趙臣;孟桂先;趙陽;張津豪;李志強;趙佳琪;蔣克明;周武平;劉聰;劉怡辰;李曉敏;黃淑瑜;王喆;劉春苗;盧欣博;趙鑫怡 | 申請(專利權(quán))人: | 吉林醫(yī)藥學院 |
| 主分類號: | C12M1/00 | 分類號: | C12M1/00;C12M1/34;C12Q3/00;C12Q1/6851 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11369 | 代理人: | 許小東 |
| 地址: | 132013*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 三層 芯片 檢測 lamp 及其 控制 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種基于三層微芯片的LAMP檢測芯片,包括其主體包括三層微芯片,第一層注入層,第二層負載層和第三層反應層;其中,第二層負載層包括多個負載區(qū),第三層反應層包括多個反應區(qū),用于體系的形成和反應的進行。本發(fā)明公開了一種基于三層微芯片的LAMP檢測芯片的控制方法。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及基因檢測技術(shù)領域,尤其涉及一種基于三層微芯片檢測的LAMP檢測芯片及其控制方法。
背景技術(shù)
環(huán)介導等溫擴增(loop-mediated?isothermal?amplification,LAMP)能在等溫(60-65℃)條件下,短時間(通常是一小時內(nèi))內(nèi)進行核酸擴增,是一種“簡便、快速、精確、低價”的基因擴增方法;與常規(guī)PCR相比,不需要模板的熱變性、溫度循環(huán)、電泳及紫外觀察等過程。環(huán)介導等溫擴增法是一種全新的核酸擴增方法,具有簡單、快速、特異性強的特點。該技術(shù)在靈敏度、特異性和檢測范圍等指標上能媲美甚至優(yōu)于PCR技術(shù),不依賴任何專門的儀器設備實現(xiàn)現(xiàn)場高通量快速檢測,檢測成本遠低于熒光定量PCR。
微流控芯片技術(shù)(Microfluidics)是把生物、化學、醫(yī)學分析過程的樣品制備、反應、分離、檢測等基本操作單元集成到一塊微米尺度的芯片上,自動完成分析全過程。由于它在生物、化學、醫(yī)學等領域的巨大潛力,已經(jīng)發(fā)展成為一個生物、化學、醫(yī)學、流體、電子、材料、機械等學科交叉的嶄新研究領域。
但由于在現(xiàn)有技術(shù)中仍然存在著很大的問題,包括:(1)現(xiàn)有技術(shù)只能進行定性檢測,無法進行定量檢測,無法準確測定病原體含量;(2)現(xiàn)有方法反應容器密閉性不足,開啟后易造成氣溶膠污染,造成假陽性;(3)現(xiàn)有方法樣品和試劑需分別加入,多次加樣過程中易造成劑量誤差;(4)結(jié)果判斷復雜,通過沉淀變化判斷反應結(jié)果易出現(xiàn)誤差,大部分情況依然需要進行電泳檢測。
發(fā)明內(nèi)容
基于上述技術(shù)問題,本發(fā)明設計開發(fā)了一種基于三層微芯片檢測的LAMP檢測芯片,本發(fā)明的發(fā)明目的是能夠在無需開啟檢測芯片的情況下,保持檢測系統(tǒng)的氣密性,無需多次加樣能夠進行快速定量檢測。
本發(fā)明設計開發(fā)了一種基于三層微芯片檢測的LAMP檢測芯片的控制方法,本發(fā)明的發(fā)明目的是通過油封樣品能夠在保持檢測系統(tǒng)的氣密性的情況下,無需多次加樣能夠進行快速定量檢測。
本發(fā)明提供的技術(shù)方案為:
一種基于三層微芯片檢測的LAMP檢測芯片,包括:
第一層注入層,其包括第一加樣孔、第一加油孔和多個第一廢液池排氣孔;
第二層負載層,其包括與所述第一加樣孔相連通的第二加樣孔、與所述第一加油孔相連通的第二加油孔和與所述第一廢液池排氣孔對應設置的多個負載區(qū);
其中,所述負載區(qū)包括與所述第二加油孔相連通的第一分油孔和與所述第一廢液池排氣孔相連通的第二廢液池排氣孔;
第三層反應層,其包括所述第二加樣孔相連通的第三加樣孔和與所述負載區(qū)對應設置的多個反應區(qū);
其中,所述反應區(qū)包括:
試劑微室,其一端與所述第三加樣孔連通;
混合室,其一端與所述試劑微室的另一端連通;
第二分油孔,其與所述混合室的一端連通,且與所述第一分油孔連通;
LAMP反應區(qū),其一端與所述混合室的另一端連通;
廢液池,其與所述LAMP反應區(qū)的另一端連通;
第三廢液池排氣孔,其設置在所述廢液池上,且與所述第二廢液池排氣孔連通。
優(yōu)選的是,所述負載區(qū)還包括:
多條分油通道,其一端均與所述第二加油孔連通,另一端與所述第一分油孔連通。
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