[發明專利]光刻版及集成電路的制造方法

在審

• 申請號: 202010328994.5
• 申請日: 2020-04-23
• 公開（公告）號: CN113552767A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 樊航
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F1/42
• 分類號: G03F1/42;H05K3/06;H01L21/027
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 姚姝婭

本發明涉及一種光刻版及集成電路的制造方法。該光刻版包括多個用于光刻對位的光柵圖形單元，光柵圖形單元包括多個膜層保留區域圖形和多個間隙區域圖形，至少有一個膜層保留區域圖形的寬度與其余膜層保留區域圖形的寬度不同，間隙區域圖形與膜層保留區域圖形間隔排列，間隙區域圖形的數量與膜層保留區域圖形的數量相同，且大于等于2；其中，間隙區域圖形的最大寬度小于光柵圖形單元的寬度的一半。與傳統的光刻版上的光柵圖形單元相比，制作工藝的波動對晶圓上本申請中的光柵圖形單元的形貌的影響較小，光柵圖形單元的形貌更易控制且均勻性更好，不易生成填充不足的光柵圖形單元，可以較大程度的減小光刻工藝的返工率，降低生產成本。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種光刻版一種集成電路的制造方法。

背景技術

光刻曝光前需首先進行晶圓(wafer)的對位，光刻晶圓對位的精度直接影響到后續電路與前層電路之間的導通。LSA(Laser Step Alignment，激光步進對準方式)因其對位精度高，成為NIKON光刻機對位的首選方式。然而，發明人發現實際生產中使用LSA進行對位會出現對位錯誤的情況。

發明內容

基于此，有必要針對上述問題，提供一種光刻版及一種集成電路的制造方法。

一種光刻版，包括多個用于光刻對位的光柵圖形單元，所述光柵圖形單元包括：

多個膜層保留區域圖形，所述膜層保留區域圖形為所述光柵圖形單元中的薄膜保留區域，至少有一個所述膜層保留區域圖形的寬度與其余所述膜層保留區域圖形的寬度不同；多個間隙區域圖形，所述間隙區域圖形為所述光柵圖形單元中的薄膜去除區域，所述間隙區域圖形與所述膜層保留區域圖形間隔排列，所述間隙區域圖形的數量與所述膜層保留區域圖形的數量相同，且大于等于2；其中，所述間隙區域圖形的最大寬度小于所述光柵圖形單元的寬度的一半，所述光柵圖形單元的寬度為所述多個膜層保留區域圖形和所述多個間隙區域圖形的寬度之和。

在其中一個實施例中，所述光柵圖形單元包括3個所述膜層保留區域圖形，且有兩個所述膜層保留區域圖形的寬度相同。

在其中一個實施例中，所述光刻版上的光柵圖形單元中存在大于等于一個所述膜層保留區域圖形的寬度與相鄰一側的所述間隙區域圖形的寬度相同。

在其中一個實施例中，所述光刻版上的光柵圖形單元中所述膜層保留區域圖形的寬度均與相鄰的所述間隙區域圖形的寬度不相同。

在其中一個實施例中，所述光刻版上的光柵圖形單元包括4個所述膜層保留區域圖形，且至少有兩個所述膜層保留區域圖形的寬度不相同。

在其中一個實施例中，所述光刻版上的光柵圖形單元中所述膜層保留區域圖形和/或所述間隙區域圖形的寬度大于等于0.5微米且小于等于2微米。

在其中一個實施例中，所述光柵圖形單元的寬度等于8微米。

在其中一個實施例中，所述光刻版上的光柵圖形單元中所述膜層保留區域圖形的寬度之和與所述間隙區域圖形的寬度之和之間的差值大于等于0微米且小于等于1微米。