[發(fā)明專利]光刻版及集成電路的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010328994.5 | 申請日： | 2020-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN113552767A | 公開（公告）日： | 2021-10-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 樊航 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/42 | 分類號： | G03F1/42;H05K3/06;H01L21/027 |
| 代理公司： | 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝婭 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光刻 集成電路 制造 方法 | ||
1.一種光刻版，包括多個用于光刻對位的光柵圖形單元,其特征在于，所述光柵圖形單元包括：
多個膜層保留區(qū)域圖形，所述膜層保留區(qū)域圖形為所述光柵圖形單元中的薄膜保留區(qū)域，至少有一個所述膜層保留區(qū)域圖形的寬度與其余所述膜層保留區(qū)域圖形的寬度不同；
多個間隙區(qū)域圖形，所述間隙區(qū)域圖形為所述光柵圖形單元中的薄膜去除區(qū)域，所述間隙區(qū)域圖形與所述膜層保留區(qū)域圖形間隔排列，所述間隙區(qū)域圖形的數(shù)量與所述膜層保留區(qū)域圖形的數(shù)量相同，且大于等于2；
其中，所述間隙區(qū)域圖形的最大寬度小于所述光柵圖形單元的寬度的一半，所述光柵圖形單元的寬度為所述多個膜層保留區(qū)域圖形和所述多個間隙區(qū)域圖形的寬度之和。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光柵圖形單元包括3個所述膜層保留區(qū)域圖形，且有兩個所述膜層保留區(qū)域圖形的寬度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光柵圖形單元中存在大于等于一個所述膜層保留區(qū)域圖形的寬度與相鄰一側(cè)的所述間隙區(qū)域圖形的寬度相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光柵圖形單元中所述膜層保留區(qū)域圖形的寬度均與相鄰的所述間隙區(qū)域圖形的寬度不相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光柵圖形單元包括4個所述膜層保留區(qū)域圖形，且至少有兩個所述膜層保留區(qū)域圖形的寬度不相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光柵圖形單元中所述膜層保留區(qū)域圖形和/或所述間隙區(qū)域圖形的寬度大于等于0.5微米且小于等于2微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光柵圖形單元的寬度等于8微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光柵圖形單元中所述膜層保留區(qū)域圖形的寬度之和與所述間隙區(qū)域圖形的寬度之和之間的差值大于等于0微米且小于等于1微米。
9.一種光刻版，包括用于光刻對位的標(biāo)記圖形單元,所述標(biāo)記圖形單元包括X行、Y列光柵圖形單元，其特征在于，所述光柵圖形單元為權(quán)利要求1-8任一項所述的光柵圖形單元，X為大于等于2的奇數(shù)，Y為大于等于2的整數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻版，其特征在于，所述標(biāo)記圖形單元包括5行、7列光柵圖形單元或7行、7列光柵圖形單元，相鄰兩列光柵圖形單元的同一側(cè)邊之間的間距為20微米。
11.一種集成電路的制造方法，包括：
獲取襯底，所述襯底上形成有第一薄膜；
使用如權(quán)利要求9或10所述的光刻版對第一薄膜上形成的光刻膠進行光刻，光刻完成后的光刻膠覆蓋在膜層保留區(qū)域圖形的第一薄膜上，露出間隙區(qū)域圖形的第一薄膜；
刻蝕光刻膠露出的間隙區(qū)域圖形的第一薄膜，得到由膜層保留區(qū)域圖形和間隙區(qū)域圖形構(gòu)成的形成標(biāo)記圖形單元的光柵圖形單元，且刻蝕后得到的膜層保留區(qū)域圖形高于間隙區(qū)域圖形，膜層保留區(qū)域圖形與間隙區(qū)域圖形之間形成高度差；
在所述第一薄膜上形成第二薄膜，所述第一薄膜的膜層保留區(qū)域圖形和間隙區(qū)域圖形上的第二薄膜受所述高度差影響使得第二薄膜上表面形成衍射光柵；
通過所述衍射光柵進行光刻對位，對所述第二薄膜上形成的光刻膠進行光刻并對所述第二薄膜進行刻蝕。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述通過所述衍射光柵進行光刻對位的步驟是通過LSA系統(tǒng)進行的；所述得到由膜層保留區(qū)域圖形和間隙區(qū)域圖形構(gòu)成的形成標(biāo)記圖形單元的光柵圖形單元的步驟是在劃片道形成所述光柵圖形單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述光刻完成后的光刻膠覆蓋在膜層保留區(qū)域圖形的第一薄膜上的步驟還包括：
光刻完成后的光刻膠覆蓋在相鄰兩列光柵圖形單元之間的第一薄膜上；
或所述光刻完成后的光刻膠覆蓋在膜層保留區(qū)域圖形的第一薄膜上，露出間隙區(qū)域圖形的第一薄膜的步驟還包括：
光刻完成后的光刻膠露出相鄰兩列光柵圖形單元之間的第一薄膜；
刻蝕光刻膠露出的間隙區(qū)域圖形的第一薄膜的步驟還包括：
刻蝕光刻膠露出的相鄰兩列光柵圖形單元之間的第一薄膜。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
