[發明專利]半導體晶圓加工方法及清潔刷頭在審
| 申請號： | 202010326540.4 | 申請日： | 2020-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN113050384A | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發明（設計）人： | 蘇倍毅;洪蔡豪;陳振杰 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;B08B1/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 加工 方法 清潔 | ||
1.一種半導體晶圓加工方法，其特征在于，包括：
利用具有多個微結構的一清潔刷頭對一晶圓座的一支撐表面進行一清潔制程，其中該微結構間彼此相隔一間距且具有漸縮的寬度；
放置一半導體晶圓于該晶圓座的該支撐表面；以及
對該半導體晶圓進行微影制程。
2.根據權利要求1所述的半導體晶圓加工方法，其特征在于，其中該清潔制程的執行是利用具有錐形剖面的所述多個微結構對該支撐表面進行清潔。
3.根據權利要求2所述的半導體晶圓加工方法，其特征在于，其中該清潔制程的執行是利用具有相異底部夾角的所述多個微結構交錯排列對該支撐表面進行清潔。
4.根據權利要求2所述的半導體晶圓加工方法，其特征在于，其中該清潔制程的執行是利用具有底部夾角介于20度至70度的所述多個微結構對該支撐表面進行清潔。
5.根據權利要求1所述的半導體晶圓加工方法，其特征在于，其中該清潔制程的執行是利用所述多個微結構對該支撐表面上的多個溝槽進行清潔，且所述多個微結構的部分伸入所述多個溝槽內部以移除位于所述多個溝槽中的污染顆粒。
6.一種半導體晶圓加工方法，其特征在于，包括:
利用具有多個錐形微結構的一清潔刷頭對一晶圓座的一支撐表面進行一清潔制程；
放置一半導體晶圓于該晶圓座的該支撐表面；以及
對該半導體晶圓進行微影制程。
7.根據權利要求6所述的半導體晶圓加工方法，其特征在于，其中該清潔制程的執行是利用具有底部夾角介于20度至70度的所述多個微結構對該支撐表面進行清潔。
8.一種清潔刷頭，適用于清潔支撐一半導體晶圓的一晶圓座的一支撐表面，該支撐表面包括具有一既定寬度的多個溝槽，其特征在于，該清潔刷頭包括：
一上表面；以及
多個微結構間彼此相隔一間距，所述多個微結構朝遠離該上表面的方向自一第一寬度漸縮至一第二寬度，其中該第二寬度小于該溝槽的該既定寬度。
9.根據權利要求8所述的清潔刷頭，其特征在于，其中所述多個微結構具有錐形的剖面。
10.根據權利要求9所述的清潔刷頭，其特征在于，其中具有相異底部夾角的所述多個微結構交錯排列。
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