[發明專利]半導體晶圓加工方法及清潔刷頭

在審

• 申請號: 202010326540.4
• 申請日: 2020-04-23
• 公開（公告）號: CN113050384A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 蘇倍毅;洪蔡豪;陳振杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;B08B1/00;H01L21/027
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本揭露部分實施例提供一種半導體晶圓加工方法及清潔刷頭。上述方法包括利用具有多個微結構的一清潔刷頭對一晶圓座的一支撐表面進行一清潔制程。微結構間彼此相隔一間距且具有漸縮的寬度。上述方法還包括放置一半導體晶圓于晶圓座的支撐表面。上述方法還包括對半導體晶圓進行微影制程。

技術領域

本揭露部分實施例是關于一種半導體晶圓加工方法及其工具，特別是關于一種半導體晶圓的微影加工及用于清潔微影工具的清潔刷頭。

背景技術

半導體集成電路工業已歷經蓬勃發展的階段。集成電路材料及設計在技術上的進步使得每一代生產的集成電路變得比先前生產的集成電路更小且其電路也變得更復雜。在集成電路發展的進程中，功能性密度(例如：每一個晶片區域中內連接裝置的數目)已經普遍增加，而幾何尺寸(例如：制程中所能創造出最小的元件(或線路))則是普遍下降。這種微縮化的過程通?？赏ㄟ^增加生產效率及降低相關支出提供許多利益。

然而，此種微縮化也增加了集成電路加工和制造上的復雜度。為了實現這樣的進展，集成電路加工和制造上也需要有相同的進步。

光微影技術是一種利用光照射具有圖案的主光罩來將圖案轉印到覆蓋在半導體基板上感光材料上的制程。在半導體工業的歷史上，已通過減小光學微影輻射源的曝光波長改良光微影解析度來實現更小的集成晶片的最小特征尺寸。在較高解析度的光微影技術中，極紫外線(Extreme ultraviolet；EUV)微影術使用具有10nm與130nm之間的曝光波長的極紫外線(EUV)光，是對于新興技術節點(例如，32nm、22nm、14nm等)具有前景的下一代光微影解決方案。

雖然現有的光微影技術通常已經足以實現預期目的，但仍不能在所有方面完全滿足。

發明內容

本揭露部分實施例提供一種半導體晶圓加工方法。上述方法包括利用具有多個微結構的一清潔刷頭對一晶圓座的一支撐表面進行一清潔制程。微結構間彼此相隔一間距且具有漸縮的寬度。上述方法還包括放置一半導體晶圓于晶圓座的支撐表面。上述方法還包括對半導體晶圓進行微影制程。

本揭露部分實施例提供一種半導體晶圓加工方法。上述方法包括利用具有多個錐形微結構的一清潔刷頭對一晶圓座的一支撐表面進行一清潔制程。上述方法還包括放置一半導體晶圓于晶圓座的支撐表面。上述方法還包括對半導體晶圓進行微影制程。

本揭露部分實施例提供一種清潔刷頭。此清潔刷頭適用于清潔支撐一半導體晶圓的一晶圓座的一支撐表面，支撐表面包括具有一既定寬度的多個溝槽。清潔刷頭包括一上表面以及多個微結構。多個微結構間彼此相隔一間距，微結構朝遠離上表面的方向自一第一寬度漸縮至一第二寬度，其中第二寬度小于溝槽的既定寬度。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，根據以下詳細描述可更好地理解本揭示案的態樣。應注意，根據工業標準實踐，各種特征未按比例繪制。事實上，為論述清楚，各特征的尺寸可任意地增加或縮小。

圖1顯示本揭露部分實施例的一加工系統的示意圖；

圖2顯示本揭露部分實施例的一曝光模組的示意圖；

圖3顯示圖2的區域M1的結構放大圖；

圖4顯示根據本揭露部分實施例的一清潔刷頭的示意圖；

圖5顯示圖4的區域M2的結構放大圖；

圖6顯示根據本揭露部分實施例的微結構的一的側視圖；

圖7顯示根據本揭露部分實施例的微結構的底面的示意圖；

圖8顯示本揭露多個實施例的微結構的底面的示意圖；

圖9顯示本揭露部分實施例的多個微結構的示意圖；

圖10顯示本揭露部分實施例的多個微結構的俯視示意圖；