[發明專利]具有集成無源部件的磁場傳感器封裝件

在審

• 申請號: 202010326510.3
• 申請日: 2020-04-23
• 公開（公告）號: CN111863788A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: M·辛德勒;H·托伊斯;M·韋伯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;G01R33/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 黃倩

1.一種磁場傳感器封裝件，包括：

芯片載體；

磁場傳感器，被布置在所述芯片載體上，所述磁場傳感器被設計為用于獲取磁場；

集成電路，被布置在所述芯片載體上，所述集成電路被設計為用于邏輯地處理由所述磁場傳感器提供的傳感器信號；以及

至少一個集成無源部件，所述至少一個集成無源部件與所述磁場傳感器或所述集成電路中的至少一個電耦合。

2.根據權利要求1所述的磁場傳感器封裝件，還包括：

第一半導體芯片，被布置在所述芯片載體上，其中所述至少一個集成無源部件被集成到所述第一半導體芯片中。

3.根據權利要求1或2所述的磁場傳感器封裝件，其中所述集成無源部件包括至少一個電容器，其中所述至少一個電容器被設計為用于以下功能中的至少一個功能：

提供所述磁場傳感器封裝件的供電電壓；

為所述磁場傳感器封裝件提供ESD保護；以及

提供所述磁場傳感器封裝件的電磁兼容性。

4.根據權利要求3所述的磁場傳感器封裝件，其中所述至少一個電容器具有大于22nF的電容。

5.根據前述權利要求中任一項所述的磁場傳感器封裝件，還包括：

至少一個其它的集成無源部件，其中所述至少一個其它的集成無源部件包括電阻器、電感器、電容器、二極管中的至少一個。

6.根據前述權利要求中任一項所述的磁場傳感器封裝件，其中所述集成電路和所述集成無源部件一起被集成在半導體芯片中。

7.根據權利要求2至5中任一項所述的磁場傳感器封裝件，其中所述磁場傳感器和所述集成電路一起被集成在與所述第一半導體芯片分離的第二半導體芯片中。

8.根據權利要求2至5中任一項所述的磁場傳感器封裝件，其中所述磁場傳感器和所述集成無源部件一起被集成在所述第一半導體芯片中，并且所述集成電路被集成在與所述第一半導體芯片分離的第二半導體芯片中。

9.根據權利要求2至5中任一項所述的磁場傳感器封裝件，其中所述磁場傳感器、所述集成電路和所述集成無源部件一起被集成在所述第一半導體芯片中，其中所述集成無源部件包括具有大于1nF的電容的至少一個電容器。

10.根據權利要求2至9中任一項所述的磁場傳感器封裝件，其中所述第一半導體芯片和所述集成電路被布置在所述芯片載體的同一安裝面上。

11.根據權利要求2至9中任一項所述的磁場傳感器封裝件，其中所述第一半導體芯片和所述集成電路被布置在所述芯片載體的相對的安裝面上。

12.根據權利要求2至9中任一項所述的磁場傳感器封裝件，其中所述第一半導體芯片和所述集成電路以彼此堆疊的方式被布置在所述芯片載體的同一安裝面上。

13.根據權利要求2至12中任一項所述的磁場傳感器封裝件，還包括：

封裝材料，其中所述第一半導體芯片和所述集成電路二者均被封裝在相同的封裝材料中。

14.根據權利要求13所述的磁場傳感器封裝件，其中所述封裝材料在垂直于所述芯片載體的方向上的尺寸小于1.2mm。

15.根據權利要求2至12中任一項所述的磁場傳感器封裝件，還包括：

第一封裝材料，其中所述第一半導體芯片被封裝在所述第一封裝材料中；以及

第二封裝材料，與所述第一封裝材料分離，其中所述集成電路被封裝在所述第二封裝材料中。