[發明專利]一種三維存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 202010326207.3
• 申請日: 2020-04-23
• 公開（公告）號: CN111477631B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 劉子良;毛格;胡凱;程磊;王秉國
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種三維存儲器的制造方法，包括以下步驟：

提供半導體結構，所述半導體結構具有襯底和位于所述襯底上的堆疊層；

形成垂直穿過所述堆疊層而到達所述襯底的開口，所述開口是所述三維存儲器的柵線隙；

在所述開口側壁形成非金屬層；

在所述非金屬層上形成金屬層，所述金屬層與所述非金屬層反應生成第一金屬化合物層；其中，所述第一金屬化合物層的厚度通過控制所述非金屬層的厚度來進行調整；

在所述第一金屬化合物層上形成第二金屬化合物層，所述第一金屬化合物層的電阻率低于所述第二金屬化合物層的電阻率；

在所述第二金屬化合物層的內側形成多晶硅；以及

在所述多晶硅之上形成金屬。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述非金屬層的厚度為2-10nm。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬化合物層和所述第二金屬化合物層包含相同的金屬元素。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述非金屬層為硅層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金屬化合物層包括金屬氮化物。