[發明專利]自對準雙重成像技術在審
| 申請號： | 202010324843.2 | 申請日： | 2020-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN111477541A | 公開（公告）日： | 2020-07-31 |
| 發明（設計）人： | 楊然富;張弛;鄧娟娟 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/033 | 分類號： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 張彥敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 對準 雙重 成像 技術 | ||
1.一種自對準雙重成像技術，其特征在于，包括：
S1：提供一半導體襯底，在半導體襯底上形成硬掩膜層，在硬掩膜層上形成非晶半導體條形結構，并形成第一介質層，所述第一介質層覆蓋在非晶半導體條形結構的頂部表面、側面以及非晶半導體條形結構之間的硬掩膜層表面；
S2：對所述第一介質層進行全面刻蝕并形成由僅位于非晶半導體條形結構的側面的所述第一介質層組成的側墻；
S3：形成第二介質層，第二介質層覆蓋非晶半導體條形結構、側墻和硬掩膜層的頂部表面以及側墻的側面；
S4：進行以側墻為停止層的平坦化工藝；以及
S5：去除側墻并形成由第二介質層和非晶半導體條形結構組成的圖形。
2.根據權利要求1所述的自對準雙重成像技術，其特征在于，所述硬掩膜層包括由氧化層、氮化層和氧化層組成的ONO層。
3.根據權利要求1所述的自對準雙重成像技術，其特征在于，在步驟S1中，在所述半導體襯底表面依次形成硬掩模層和非晶半導體層，采用光刻工藝形成第一光刻膠圖形以定義出非晶半導體條形結構的形成區域，所述第一光刻膠圖形由多個光刻膠條形結構排列而成，然后進行光刻刻蝕工藝而在硬掩膜層上形成非晶半導體條形結構。
4.根據權利要求1所述的自對準雙重成像技術，其特征在于，所述第一介質層為氮化層。
5.根據權利要求1所述的自對準雙重成像技術，其特征在于，所述平坦化技術為化學機械研磨技術。
6.根據權利要求1所述的自對準雙重成像技術，其特征在于，在步驟S1中，根據半導體制造過程中需要的溝渠寬度決定形成的第一介質層的厚度。
7.根據權利要求1所述的自對準雙重成像技術，其特征在于，步驟S3中，形成的第二介質層與非晶半導體條形結構的材質相同。
8.根據權利要求1所述的自對準雙重成像技術，其特征在于，步驟S5中，第二介質層和非晶半導體條形結構組成的圖形的線寬為35埃米至50埃米。
9.根據權利要求1所述的自對準雙重成像技術，其特征在于，步驟S5中，第二介質層和非晶半導體條形結構組成的圖形之間的溝渠的寬度為15埃米至25埃米。
10.根據權利要求7所述的自對準雙重成像技術，其特征在于，步驟S3中，第二介質層與非晶半導體條形結構均為非晶硅層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力集成電路制造有限公司，未經上海華力集成電路制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010324843.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：水汽釋放設備的水分子粒徑測試方法和裝置
- 下一篇：一種電動汽車整車診斷方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
