[發(fā)明專利]存儲單元、晶體管的制備方法及存儲單元的制備方法

有效

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• 申請日: 2020-04-22
• 公開（公告）號: CN111564167B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設計）人: 陳靜;呂迎歡;王碩;葛浩;謝甜甜
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所;上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G11C7/24
• 分類號: G11C7/24;G11C11/412;H10B10/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;賈允

本申請實施例提供了一種存儲單元、晶體管的制備方法及存儲單元的制備方法，其中，該存儲單元是通過第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管，第七晶體管和第八晶體管，這八個晶體管的電性連接得到的具有特定功能的存儲單元。本發(fā)明公開的存儲單元相較于現(xiàn)有技術中的存儲單元，在傳統(tǒng)六管單元的基礎上加入兩個晶體管，以犧牲較小單元面積的情況下提升單元抗單粒子能力；該存儲單元中的晶體管均采用“工”字型的柵氧層和金屬柵結構，可有效抑制總劑量效應引起的上下邊角漏電及側壁漏電和寄生晶體管效應。此外，該存儲單元不僅可以在抗單粒子效應能力上得到提高，還可以在存儲數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性上得到增加。

技術領域

本發(fā)明涉及集成電路領域，尤其涉及一種存儲單元、晶體管的制備方法及存儲單元的制備方法。

背景技術

一般，在計算機系統(tǒng)中，常常使用的隨機存儲內存可分為Dynamic?Random?AccessMemory(DRAM，動態(tài)隨機存儲內存)和Static?RAM(SRAM，靜態(tài)隨機存儲內存)兩種，DRAM與SRAM的差異在于，DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，以維持數(shù)據(jù)的保存，而SRAM在計算機系統(tǒng)運行的過程中無需刷新電路也能保存內部存儲的數(shù)據(jù)。因此，由于SRAM具有良好性能而被廣泛應用。

現(xiàn)有技術中存在的傳統(tǒng)存儲單元為六管靜態(tài)存儲單元，圖1是一種六管靜態(tài)存儲單元的電路示意圖，圖中包括第一晶體管T₁、第二晶體管T₂、第三晶體管T₃、第四晶體管T₄、第五晶體管T₅和第六晶體管T₆，其中，T₁和T₃構成一個反相器，T₂和T₄構成一個反相器，兩個反相器連接構成一個鎖存器，T₅和T₆作為選擇通過管，用于實現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫和存儲。現(xiàn)有的六管靜態(tài)存儲單元雖然可以存儲數(shù)據(jù)，但是其抗單粒子效應能力較弱，當應用于航空航天等特殊領域時，由于輻照引起的單粒子效應會引起存儲數(shù)據(jù)的錯誤，進而會造成重大損失，因此進行抗單粒子加固勢在必得。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種存儲單元、晶體管的制備方法及存儲單元的制備方法，能夠提高存儲單元的抗單粒子效應能力，能夠增強存儲單元的穩(wěn)定性。

本申請實施例提供一種存儲單元,該存儲單元包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管和第八晶體管；

第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管和第八晶體管中柵極均將溝道與場氧隔離；

第一晶體管的第一端與第二晶體管的第一端連接，第一晶體管的第二端與第三晶體管的第一端連接，第一晶體管的第三端與第五晶體管的第一端連接；

第二晶體管的第二端與第四晶體管的第一端連接，第二晶體管的第三端與第六晶體管的第一端連接；

第三晶體管的第三端與第五晶體管的第二端連接，以及與第二晶體管的第三端連接；

第四晶體管的第三端與第六晶體管的第二端連接，以及與第一晶體管的第三端連接；

第七晶體管的第一端與第三晶體管的第三端連接；

第八晶體管的第一端與第四晶體管的第三端連接。

進一步地，該單元還包括：字線、第一位線和第二位線；

第一晶體管的第一端與字線連接，第二晶體管的第一端與字線連接，第七晶體管的第二端與字線連接，第八晶體管的第二端與字線連接；

第七晶體管的第三端與第一位線連接；

第八晶體管的第三端與第二位線連接。