[發(fā)明專利]存儲單元、晶體管的制備方法及存儲單元的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010324690.1 | 申請日： | 2020-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN111564167B | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳靜;呂迎歡;王碩;葛浩;謝甜甜 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所;上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G11C7/24 | 分類號： | G11C7/24;G11C11/412;H10B10/00 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;賈允 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲 單元 晶體管 制備 方法 | ||
1.一種存儲單元，其特征在于，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管和第八晶體管；
所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第五晶體管、所述第六晶體管、所述第七晶體管和所述第八晶體管中的柵氧層和金屬柵層均采用“工”字形結(jié)構(gòu)；
所述第一晶體管的第一端與所述第二晶體管的第一端連接，所述第一晶體管的第二端與所述第三晶體管的第一端連接，所述第一晶體管的第三端與所述第五晶體管的第一端連接；
所述第二晶體管的第二端與所述第四晶體管的第一端連接，所述第二晶體管的第三端與所述第六晶體管的第一端連接；
所述第三晶體管的第三端與所述第五晶體管的第二端連接，以及與所述第二晶體管的第三端連接；
所述第四晶體管的第三端與所述第六晶體管的第二端連接，以及與所述第一晶體管的第三端連接；
所述第七晶體管的第一端與所述第三晶體管的第三端連接；
所述第八晶體管的第一端與所述第四晶體管的第三端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，還包括：字線、第一位線和第二位線；
所述第一晶體管的第一端與所述字線連接，所述第二晶體管的第一端與所述字線連接，所述第七晶體管的第二端與所述字線連接，所述第八晶體管的第二端與所述字線連接；
所述第七晶體管的第三端與所述第一位線連接；
所述第八晶體管的第三端與所述第二位線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第三晶體管的第二端上拉接電源；
所述第四晶體管的第二端上拉接電源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第五晶體管的第三端接地；
所述第六晶體管的第三端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管均為N型場效應(yīng)晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第三晶體管和所述第四晶體管均為P型場效應(yīng)晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第五晶體管和所述第六晶體管均為N型場效應(yīng)晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第七晶體管和所述第八晶體管均為N型場效應(yīng)晶體管；
所述第七晶體管和所述第八晶體管均為選通管。
9.一種存儲單元中晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
獲取SOI基底，所述SOI基底包括襯底、埋氧層和頂層硅膜；
對所述頂層硅膜進行刻蝕處理形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用于隔離出所述晶體管中的有源區(qū)；
對所述有源區(qū)進行第一摻雜形成溝道所需摻雜類型；所述第一摻雜包括N型摻雜或P型摻雜中的任意一種；
在所述有源區(qū)上制備形成柵氧層；所述柵氧層的形狀為“工”字型；
在所述有源區(qū)上定義出源端區(qū)域和漏端區(qū)域；對所述源端區(qū)域和所述漏端區(qū)域進行與所述第一摻雜類型相反的第二摻雜形成源端和漏端；
在所述柵氧層上制備形成金屬柵層；所述金屬柵層的形狀與所述柵氧層的形狀一致；
將所述源端、所述漏端和所述金屬柵層分別引出。
10.一種存儲單元的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
獲取SOI基底，所述SOI基底包括襯底、埋氧層和頂層硅膜；
對所述頂層硅膜進行刻蝕處理形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用于隔離出所述存儲單元中的有源區(qū)；
在所述有源區(qū)的第一區(qū)域制備形成第一晶體管、第五晶體管和第七晶體管，在所述有源區(qū)的第二區(qū)域制備形成第三晶體管和第四晶體管，在所述有源區(qū)的第三區(qū)域制備形成第二晶體管、第六晶體管和第八晶體管；
其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第五晶體管、所述第六晶體管、所述第七晶體管和所述第八晶體管均為N型場效應(yīng)晶體管，所述第三晶體管和所述第四晶體管均為P型場效應(yīng)晶體管；
所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管和所述第四晶體管、所述第五晶體管、所述第六晶體管、所述第七晶體管和所述第八晶體管的柵氧層和金屬柵層的形狀均為“工”字型；
制作金屬過孔及相應(yīng)金屬連線，制備形成所述存儲單元；
將所述源端、所述漏端和所述金屬柵層分別引出。
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