[發明專利]芯片的制造方法、芯片及指紋模組、電子設備在審
| 申請號: | 202010322856.6 | 申請日: | 2020-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN111540690A | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發明(設計)人: | 劉偉;任金虎 | 申請(專利權)人: | 歐菲微電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/78;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京景聞知識產權代理有限公司 11742 | 代理人: | 賈玉姣 |
| 地址: | 330096 江西省南昌市南昌*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 制造 方法 指紋 模組 電子設備 | ||
本發明公開了一種芯片的制造方法、芯片及指紋模組、電子設備,所述芯片的制造方法包括以下步驟:S1、在基板的一側表面上設置至少一個芯片集合,芯片集合指包括間隔設置的多個芯片的集合,芯片集合在基板上的正投影位于基板內,且芯片集合與基板的邊緣區域間隔設置;S2、對基板的具有芯片集合的所述一側表面進行噴涂處理;S3、切掉噴涂處理后的基板的積油區域;S4、對切掉積油區域的基板進行切割,得到多個第一子基板,每個所述第一子基板上具有一個所述芯片。根據本發明的芯片的制造方法,可以對基板的整板進行噴涂,使油漆聚積到基板的除芯片集合以外的區域,從而使切割后的多個第一子基板的涂層較為均勻,改善了產品的積油問題。
技術領域
本發明涉及芯片的加工制造技術領域,尤其是涉及一種芯片的制造方法、芯片及指紋模組、電子設備。
背景技術
相關技術中,在LGA(Land Grid Array,柵格陣列封裝)封裝工藝流程中,通常將芯片切割為單顆芯片后進行噴涂。然而,將芯片切割為單顆芯片后噴涂會導致單顆芯片的邊緣區域出現積油異常。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此,本發明的一個目的在于提出一種芯片的制造方法,所述芯片的制造方法改善了產品的積油問題,從而可以提升產品質量。
本發明的另一個目的在于提出一種采用上述芯片的制造方法制備獲得的芯片。
本發明的再一個目的在于提出一種具有上述芯片的指紋模組。
本發明的又一個目的在于提出一種具有上述指紋模組的電子設備。
根據本發明的芯片的制造方法,包括以下步驟:S1、在基板的一側表面上設置至少一個芯片集合,所述芯片集合指包括間隔設置的多個芯片的集合,其中,所述芯片集合包括間隔設置的多個芯片,所述芯片集合在所述基板上的正投影位于所述基板內,且所述芯片集合與所述基板的邊緣區域間隔設置;S2、對所述基板的具有所述芯片集合的所述一側表面進行噴涂處理;S3、切掉噴涂處理后的所述基板的積油區域,積油區域小于等于邊緣區域;S4、對切掉所述積油區域的所述基板進行切割,得到多個第一子基板,每個所述第一子基板上具有一個所述芯片,其中,所述基板的所述邊緣區域的寬度范圍為0-0.5mm。
根據本發明的芯片的制造方法,通過先對基板的具有芯片集合的一側表面進行噴涂處理,然后切掉噴涂處理后的基板的積油區域并對切掉積油區域的基板進行切割,可以對基板的整板進行噴涂,使油漆聚積到基板的除芯片集合以外的區域,從而使切割后的多個第一子基板的涂層較為均勻,改善了產品的積油問題,極大地提升產品質量。
進一步地,所述芯片集合的邊界與所述基板的所述邊緣區域之間的最小距離為L,其中,所述L滿足:L≥3.5mm。由此,通過使L滿足L≥3.5mm,芯片集合與基板的上述邊緣之間的距離較合理,保證對基板的積油區域進行有效地避讓,可以有效避免芯片集合的邊緣處出現積油。
進一步地,所述芯片集合為至少兩個,在所述步驟S2之前,還包括步驟:S11、對所述基板進行切割以得到至少兩個第二子基板,每個所述第二子基板上設有一個所述芯片集合。由此,通過上述步驟S11,使基板可以被切割成至少兩個子基板,更加便于后續的噴涂處理,保證噴涂效果。
進一步地,每個所述第二子基板的經過切割的邊緣為切割邊緣,每個所述芯片集合的邊界與對應的所述第二子基板的所述切割邊緣之間距離為S,其中,所述S滿足:S≥4mm。由此,通過使S滿足:S≥4mm,每個芯片集合的邊界與對應的第二子基板的切割邊緣之間距離較合理,保證芯片集合對基板的切割邊緣處的積油區域進行有效地避讓,可以有效避免芯片集合的鄰近切割邊緣處出現積油。
進一步地,所述芯片集合為兩個,兩個所述芯片集合在排列方向上間隔設置。如此設置,便于對基板進行切割,結構簡單,操作方便。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





