[發明專利]芯片的制造方法、芯片及指紋模組、電子設備在審
| 申請號: | 202010322856.6 | 申請日: | 2020-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN111540690A | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發明(設計)人: | 劉偉;任金虎 | 申請(專利權)人: | 歐菲微電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/78;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京景聞知識產權代理有限公司 11742 | 代理人: | 賈玉姣 |
| 地址: | 330096 江西省南昌市南昌*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 制造 方法 指紋 模組 電子設備 | ||
1.一種芯片的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、在基板的一側表面上設置至少一個芯片集合,其中,所述芯片集合指包括間隔設置的多個芯片的集合,所述芯片集合在所述基板上的正投影位于所述基板內,且所述芯片集合與所述基板的邊緣區域間隔設置;
S2、對所述基板的具有所述芯片集合的所述一側表面進行噴涂處理;
S3、切掉噴涂處理后的所述基板的積油區域,積油區域小于等于邊緣區域;
S4、對切掉所述積油區域的所述基板進行切割,得到多個第一子基板,每個所述第一子基板上具有一個所述芯片;
其中,所述基板的所述邊緣區域的寬度范圍為0-0.5mm。
2.根據權利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述芯片集合的邊界與所述基板的所述邊緣區域之間的最小距離為L,其中,所述L滿足:L≥3.5mm。
3.根據權利要求1或2所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述芯片集合為至少兩個,
在所述步驟S2之前,還包括步驟:
S11、對所述基板進行切割以得到至少兩個第二子基板,每個所述第二子基板上設有一個所述芯片集合。
4.根據權利要求3所述的芯片的制造方法,其特征在于,每個所述第二子基板的經過切割的邊緣為切割邊緣,每個所述芯片集合的邊界與對應的所述第二子基板的所述切割邊緣之間距離為S,其中,所述S滿足:S≥4mm。
5.根據權利要求3所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述芯片集合為兩個,兩個所述芯片集合在排列方向上間隔設置。
6.根據權利要求1或2或4或5任一項所述的芯片的制造方法,其特征在于,步驟S2中,對所述基板的具有所述芯片集合的所述一側表面進行離心噴涂處理。
7.根據權利要求1或2所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述芯片集合的多個所述芯片呈陣列排布。
8.一種芯片,其特征在于,采用根據權利要求1-7中任一項所述的芯片的制造方法制備獲得。
9.一種指紋模組,其特征在于,包括根據權利要求8所述的芯片。
10.一種電子設備,其特征在于,包括根據權利要求9所述的指紋模組。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





