[發明專利]存儲器及其形成方法

有效

• 申請號: 202010322638.2
• 申請日: 2020-04-22
• 公開（公告）號: CN111463206B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 顏逸飛;馮立偉;陳凱評
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本發明提供了一種存儲器及其形成方法，絕緣圖案至少覆蓋間隔節點接觸結構的第一開口的側壁并向上延伸至高于所述節點接觸結構，絕緣圖案的上表面還往所述第一開口中凹陷以形成凹陷部，使得通過一層膜層即可替代現有的兩個膜層構成的絕緣圖案，從而省略了現有技術中研磨去除部分厚度的絕緣材料層以及重新形成掩模材料層的步驟，簡化了存儲器的制備工藝，提高了制備的效率，并且由于形成電容結構時通常會采用到多次研磨工藝使得襯底的表面平坦化，所以即使絕緣圖案的表面不平整也不會對存儲器的性能產生影響。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種存儲器及其形成方法。

背景技術

存儲器，例如動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常具有存儲單元陣列，所述存儲單元陣列中包括多個呈陣列式排布的存儲單元。所述存儲器具有多條字線結構和位線結構，字線結構埋入在襯底中，位線結構形成在襯底上且與相應的存儲單元電性連接，并且所述存儲器還包括電容結構，所述電容結構用于存儲代表存儲信息的電荷，以及所述存儲單元可通過一節點接觸結構電性連接所述電容結構，從而實現各個存儲單元的存儲功能。

圖1a～圖1e為現有的一種存儲器的形成方法形成的結構示意圖。參閱圖1a～圖1d，有的存儲器的形成方法包括：如圖1a所示，在襯底100’上形成位線結構200’之后，形成覆蓋襯底100’及位線結構200’的導電材料層300’。然后如圖1b所示，刻蝕所述導電材料層300’以及位線結構200’的部分高度，形成第一開口300a’，所述第一開口300a’將剩余的導電材料層300’間隔為多個節點接觸結構300b’。然后如圖1c所示，在多個節點接觸結構300b’上形成絕緣材料層410’，所述絕緣材料層410’還填充所述第一開口300a’。此時由于所述絕緣材料層410’的上表面可能不平整，如圖1d所示，需要先研磨所述絕緣材料層410’直至去除所述節點接觸結構300b’的上表面的絕緣材料層410’以使絕緣材料層410’以及所述節點接觸結構300b’的上表面平整。然后如圖1e所示，在絕緣材料層410’上順次形成掩模材料層420’以及堆疊材料層500’，最后刻蝕堆疊材料層500’及掩模材料層420’形成第二開口501a’，使得所述第二開口501a’露出所述節點接觸結構300b’，在后續步驟中可以在第二開口501a’中形成電容結構的下電極。此時，剩余的絕緣材料層410’和掩模材料層420’構成多個絕緣圖案400’。這里的每個絕緣圖案400’均包括兩個膜層(堆疊的絕緣材料層410’和掩模材料層420’)，兩個膜層在后續步驟中起到的作用實際上是相同的，所以采用兩個膜層構成絕緣圖案400’導致存儲器的制備工藝的難度和復雜度增加，降低了制備效率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種存儲器及其形成方法，在不影響存儲器性能的情況下簡化存儲器的形成工藝。

為了達到上述目的，本發明提供了一種存儲器，包括：

襯底；

多個節點接觸結構，從所述襯底上向上延伸；

多個第一開口，位于相鄰的節點接觸結構之間以電性隔離所述節點接觸結構；

絕緣圖案，位于所述第一開口，所述絕緣圖案至少覆蓋所述第一開口的側壁并向上延伸至高于所述節點接觸結構，所述絕緣圖案的上表面還往所述第一開口中凹陷以形成凹陷部；以及，

電容結構，位于所述節點接觸結構上并電性連接所述節點接觸結構。

可選的，所述電容結構包括：

金屬氧化物層，至少部分位于所述絕緣圖案上。

可選的，所述金屬氧化物層遮蓋所述凹陷部的開口以形成氣隙；或者，所述金屬氧化物層填充部分深度的凹陷部以形成氣隙。

可選的，所述金屬氧化物層完全填充所述凹陷部。

可選的，所述絕緣圖案還延伸至覆蓋部分節點接觸結構的頂部。