[發明專利]存儲器及其形成方法

有效

• 申請號: 202010322638.2
• 申請日: 2020-04-22
• 公開（公告）號: CN111463206B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 顏逸飛;馮立偉;陳凱評
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

多個節點接觸結構，從所述襯底上向上延伸；

多個第一開口，位于相鄰的節點接觸結構之間以電性隔離所述節點接觸結構；

絕緣圖案，位于所述第一開口，所述絕緣圖案至少覆蓋所述第一開口的側壁并向上延伸至高于所述節點接觸結構，所述絕緣圖案的上表面還往所述第一開口中凹陷以形成凹陷部；以及，

電容結構，位于所述節點接觸結構上并電性連接所述節點接觸結構；

所述絕緣圖案的材料為氮化物、碳化物或氧化物。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述電容結構包括：

金屬氧化物層，至少部分位于所述絕緣圖案上。

3.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述金屬氧化物層遮蓋所述凹陷部的開口以形成氣隙；或者，所述金屬氧化物層填充部分深度的凹陷部以形成氣隙。

4.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述金屬氧化物層完全填充所述凹陷部。

5.如權利要求1-4中任一項所述的存儲器，其特征在于，所述絕緣圖案還延伸至覆蓋部分節點接觸結構的頂部。

6.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，以所述第一開口的底部的高度位置為界限將所述節點接觸結構分為上節點接觸部和下節點接觸部，在垂直于高度方向上，所述上節點接觸部的最大寬度尺寸大于所述下節點接觸部的最大寬度尺寸。

7.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

形成多個節點接觸結構于所述襯底上，所述節點接觸結構從所述襯底上向上延伸；

形成多個第一開口于相鄰的節點接觸結構之間，所述第一開口電性隔離所述節點接觸結構；

形成絕緣圖案于所述第一開口，所述絕緣圖案至少覆蓋所述第一開口的側壁并向上延伸至高于所述節點接觸結構，所述絕緣圖案的上表面還往所述第一開口中凹陷以形成凹陷部；以及，

形成電容結構于所述節點接觸結構上，并使所述電容結構電性連接所述節點接觸結構。

8.如權利要求7所述的存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述絕緣圖案的步驟包括：

形成絕緣材料層于所述節點接觸結構上，所述絕緣材料層覆蓋所述節點接觸結構并至少覆蓋所述第一開口的側壁，所述絕緣材料層的上表面對應所述第一開口的部分往所述第一開口中凹陷以形成所述凹陷部；

形成堆疊材料層于所述絕緣材料層上；以及，

刻蝕所述堆疊材料層以形成多個與所述節點接觸結構對應的第二開口，所述第二開口的底部露出對應的節點接觸結構的至少部分頂部，剩余的所述絕緣材料層構成多個所述絕緣圖案。

9.如權利要求8所述的存儲器的形成方法，其特征在于，形成電容結構于每個所述節點接觸結構上的步驟至少包括：

形成電容結構于所述第二開口中，所述電容結構的底部與所述節點接觸結構露出的頂部電性連接，其中，所述電容結構的金屬氧化物層至少部分位于所述絕緣圖案上。

10.如權利要求9所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述金屬氧化物層遮蓋所述凹陷部的開口以形成氣隙；或者，所述金屬氧化物層填充部分深度的凹陷部以形成氣隙；或者，所述金屬氧化物層完全填充所述凹陷部。