[發明專利]集成電路裝置

在審

• 申請號: 202010320780.3
• 申請日: 2020-04-22
• 公開（公告）號: CN112447588A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 樸俓旭;姜玧求;柳原錫;李多仁
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48;H01L23/535
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;韓芳

1.一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：

導線，形成在基底上；

絕緣間隔件，覆蓋導線的側壁并平行于導線延伸；以及

導電插塞，與導線間隔開，且絕緣間隔件位于導線與導電插塞之間，

其中，絕緣間隔件包括：絕緣襯里，接觸導線；外部間隔件，接觸導電插塞；以及阻擋層，位于絕緣襯里與外部間隔件之間以防止氧原子擴散到外部間隔件中。

2.根據權利要求1所述的集成電路裝置，

其中，阻擋層包括具有二維晶體結構的二維材料。

3.根據權利要求1所述的集成電路裝置，

其中，阻擋層包括SiC、SiCN或BN。

4.根據權利要求1所述的集成電路裝置，

其中，絕緣間隔件還包括位于絕緣襯里與阻擋層之間的空氣間隔件。

5.根據權利要求1所述的集成電路裝置，

其中，阻擋層具有至少1.3eV的帶隙。

6.根據權利要求1所述的集成電路裝置，

其中，阻擋層包括選自于h-BN、GaS、GaSe、磷烯、WS₂、WSe₂、MoS₂、MoSe₂、ReS₂和ReSe₂之中的二維材料的單分子層。

7.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

阻擋層在導線的寬度方向上具有至的厚度。

8.一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：

線結構，包括形成在基底上的位線和覆蓋位線的絕緣覆蓋圖案；

絕緣間隔件，覆蓋線結構的側壁；

導電插塞，在第一水平方向上與位線間隔開，且絕緣間隔件位于位線與導電插塞之間；以及

導電接合墊，與導電插塞豎直疊置，

其中，絕緣間隔件包括：絕緣襯里，接觸線結構；外部間隔件，接觸導電插塞和導電接合墊；以及阻擋層，位于絕緣襯里與外部間隔件之間以防止氧原子擴散到外部間隔件中。

9.根據權利要求8所述的集成電路裝置，

其中，阻擋層包括具有至少1.3eV的帶隙的二維材料，并且

其中，阻擋層位于位線與導電插塞之間以及絕緣覆蓋圖案與導電接合墊之間。

10.根據權利要求8所述的集成電路裝置，

其中，阻擋層的二維材料包括SiC、SiCN或BN，并且

其中，阻擋層位于位線與導電插塞之間以及絕緣覆蓋圖案與導電接合墊之間。

11.根據權利要求8所述的集成電路裝置，

其中，絕緣間隔件還包括空氣間隔件，并且

其中，絕緣襯里與阻擋層間隔開，且空氣間隔件位于絕緣襯里與阻擋層之間。

12.根據權利要求8所述的集成電路裝置，

其中，阻擋層包括選自于h-BN、GaS、GaSe、磷烯、WS₂、WSe₂、MoS₂、MoSe₂、ReS₂和ReSe₂之中的二維材料的單個單分子層。

13.根據權利要求8所述的集成電路裝置，

其中，阻擋層包括選自于h-BN、GaS、GaSe、磷烯、WS₂、WSe₂、MoS₂、MoSe₂、ReS₂和ReSe₂之中的二維材料的多個單分子層。