[發明專利]用于減輕干擾的非易失性存儲裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 202010320616.2
• 申請日: 2020-04-22
• 公開（公告）號: CN112242154A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 尹正赫
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C8/08;G11C8/14;G11C7/12;G11C7/18
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;阮愛青

本申請公開了一種用于減輕干擾的非易失性存儲裝置及其操作方法。非易失性存儲裝置可以包括寫入電路和感測放大器。寫入電路可以對選中的存儲單元執行預選操作。當選中的存儲單元發生驟回時，寫入電路可以根據寫入數據而對選中的存儲單元選擇性地執行復位寫入操作和置位寫入操作。當選中的存儲單元未發生驟回時，寫入電路可以不對選中的存儲單元施加電壓和電流。感測放大器可以感測選中的存儲單元是否發生驟回。

相關申請的交叉引用

本申請要求2019年7月16日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2019-0085653的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

各種實施例總體而言涉及一種集成電路技術，更具體地，涉及一種非易失性存儲裝置以及利用所述非易失性存儲裝置的系統。

背景技術

電子設備可以包括許多電子組件。例如，計算機系統可以包括大量由半導體組成的電子組件。計算機系統可以包括存儲裝置。由于DRAM(動態隨機存取存儲器)可以以高速且恒速儲存并輸出數據以及執行隨機存取，因此DRAM被廣泛用作通常的存儲裝置。然而，由于DRAM包括均由電容器構成的存儲單元，因此DRAM具有易失性特性，即在電源中斷時會丟失儲存在其中的數據。為了消除DRAM的這種缺點，已經開發了快閃存儲器。快閃存儲器包括均由浮柵構成的存儲單元，因此，即使電源中斷，快閃存儲器也具有保留儲存在其中的數據的非易失性特性。然而，快閃存儲器以比DRAM低的速度儲存并輸出數據，因此難以執行隨機存取。

近來，已經開發了具有高運行速度和非易失性特性的下一代存儲裝置。下一代存儲裝置的示例可以包括：相變RAM、磁性RAM、電阻式RAM和鐵電RAM。下一代存儲裝置可以在具有非易失性特性的情況下以高速運行。具體地，PRAM可以包括由硫族化物形成的存儲單元，并且可以通過改變存儲單元的電阻值來儲存數據。

發明內容

在一個實施例中，一種非易失性存儲裝置可以包括寫入電路和感測放大器。寫入電路可以被配置為基于寫入信號來將預選電壓施加至選中的存儲單元；當選中的存儲單元發生驟回時，基于寫入數據來將復位寫入電壓和置位寫入電壓中的一個施加至所述選中的存儲單元；以及當所述選中的存儲單元未發生驟回時，中斷施加至所述選中的存儲單元的電壓和電流。感測放大器可以被配置為感測所述選中的存儲單元是否發生驟回。

在一個實施例中，一種非易失性存儲裝置的操作方法可以包括：將預選電壓施加至選中的存儲單元。所述預選電壓可以具有與復位分布最大電壓相對應的電壓。所述操作方法還可以包括感測所述選中的存儲單元是否發生驟回。所述操作方法還可以包括：基于寫入數據和所述選中的存儲單元是否發生驟回來對所述選中的存儲單元選擇性地執行復位寫入操作和置位寫入操作；以及中斷施加至所述選中的存儲單元的預選電壓。

在一個實施例中，一種非易失性存儲裝置可以包括：寫入控制電路、感測放大器和寫入驅動器。寫入控制電路可以被配置為基于寫入信號來生成預選信號；當感測信號被使能時，生成復位寫入信號和置位寫入信號中的一個；以及當所述感測信號被禁止時，禁止所述預選信號并且不生成所述復位寫入信號和所述置位寫入信號。感測放大器可以被配置為感測存儲單元是否發生驟回，并且生成所述感測信號。所述寫入驅動器可以被配置為基于所述預選信號來對所述選中的存儲單元執行預選操作；基于所述復位寫入信號來對所述選中的存儲單元執行復位寫入操作，以及基于所述置位寫入信號來對所述選中的存儲單元執行置位寫入操作。

附圖說明

圖1是圖示了根據一個實施例的非易失性存儲裝置的配置的示圖。

圖2是圖示了圖1中所示的寫入控制電路的配置的示圖。

圖3是圖示了圖2中所示的寫入控制電路的操作的時序圖。

圖4是圖示了圖1中所示的第一全局控制電路的配置的示圖。