[發明專利]一種掩膜板、顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 202010319152.3 | 申請日: | 2020-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN111413846A | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發明(設計)人: | 全海燕;呂曉文 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 掩膜板 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本發明提供了一種掩膜板、顯示面板及其制備方法,本發明實施例中的掩膜板包括橫向遮光條和橫向遮光條交叉的縱向遮光條,掩膜板在橫向遮光條和縱向遮光條的轉角處存在至少一個挖空區域,利用MPC補償的原理,來制備出更加接近90°的金屬轉角,從而改善顯示區內的金屬與偏光片非垂直或平行的狀態,如此便可以在不損失開口率的情況下,使金屬漏光降低,減小暗態亮度進而提高顯示面板顯示圖像的對比度。
技術領域
本發明涉及顯示領域,具體涉及一種掩膜板、顯示面板及其制備方法。
背景技術
在液晶顯示面板(Liquid Crystal Display,LCD)領域,對比度是一項重要的指標,指的是一幅圖像中最亮情況的亮度和最暗情況的亮度之比率。通過提高最亮情況的亮度,或降低最暗情況的亮度即可提高圖像的對比度。
目前市場上的液晶顯示面板包含彩色濾光片基板(Color Filter Substrate,CFSubstrate,)和薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Substrate,TFTSubstrate),基板相對內側存在透明電極。兩片基板之間夾一層液晶分子(LiquidCrystal,LC)。液晶顯示器是通過電場對液晶分子取向的控制,改變光的偏振狀態,并借由偏光板實現光路的穿透與阻擋,實現顯示的目的。
金屬漏光是指TFT基板上的金屬與偏光片非垂直或平行時,電場激發逸散電子使得偏振態改變從而產生漏光的現象。在顯示區,金屬均設計成與偏光片平行或垂直的狀態;而拐角由于制程限制,即便掩膜板在轉角處設計成直角,實際產出的金屬線也會不可避免地形成圓弧狀的轉角,如圖1和圖2所示,從而產生金屬漏光現象,影響面板的對比度。對液晶顯示面板來說,可以通過減小金屬漏光等方法來減小暗態情況下不需要的漏光,進而提高對比度。
目前金屬漏光的關注度并不高,改善金屬漏光的一種方法是通過黑色矩陣(BlackMatrix,BM)進行遮擋,但考慮到TFT基板和CF基板之間的shift量,BM的面積不得不變大,如此便會犧牲像素一定的開口率。然而對于高解析度的產品來說,這樣的犧牲是需要盡量避免的。
發明內容
本發明實施例提供一種掩膜板、顯示面板及其制備方法,旨在提供一種在不損失開口率的情況下,改善金屬漏光進而提高對比度的方法。
為解決上述問題,第一方面,本申請提供一種掩膜板,包括橫向遮光條和橫向遮光條交叉的縱向遮光條,掩膜板在橫向遮光條和縱向遮光條的轉角處存在至少一個挖空區域。
進一步的,挖空區域為圓形、菱形、正方形、三角形或不規則形狀中的一種。
進一步的,挖空區域的中心點在轉角的中心軸線上。
進一步的,橫向遮光條和所述縱向遮光條包括目標交叉區域,所述目標交叉區域處形成相對的第一轉角和第二轉角,所述第一轉角和第二轉角分別設置有挖空區域。
進一步的,第一轉角的挖空區域和所述第二轉角的挖空區域形狀相同。
第二方面,本申請提供一種顯示面板,包括至少一條金屬線,金屬線由上述任一種掩膜板制成。
第三方面,本申請提供一種顯示面板的制備方法,掩膜設計階段中使用的掩膜板包括橫向遮光條和橫向遮光條交叉的縱向遮光條,在橫向遮光條和縱向遮光條的轉角處進行挖空,以得到至少一個挖空區域。
進一步的,挖空區域為圓形、菱形、正方形、三角形或不規則形狀中的一種。
進一步的,挖空區域的中心點在轉角的中心軸線上。
進一步的,橫向遮光條和所述縱向遮光條包括目標交叉區域,所述目標交叉區域處形成相對的第一轉角和第二轉角,所述第一轉角和第二轉角分別設置有挖空區域。
進一步的,第一轉角的挖空區域和所述第二轉角的挖空區域形狀相同。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TCL華星光電技術有限公司,未經TCL華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010319152.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





