[發(fā)明專利]一種用于晶體生長的防遮擋測溫裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010317440.5 | 申請日: | 2020-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN111379019A | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號: | C30B23/00 | 分類號: | C30B23/00;C30B29/36;C30B29/40;G01J5/02 |
| 代理公司: | 哈爾濱市偉晨專利代理事務所(普通合伙) 23209 | 代理人: | 韓立巖 |
| 地址: | 150000 黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 晶體生長 遮擋 測溫 裝置 | ||
一種用于晶體生長的防遮擋測溫裝置,屬于坩堝溫控技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明為了解決傳統(tǒng)坩堝測溫結(jié)構(gòu)上的測溫窗表面容易被遮蔽,影響測溫,影響晶體生長質(zhì)量的問題。坩堝上設(shè)有坩堝蓋,測溫法蘭通過導向筒與坩堝內(nèi)部連通,測溫法蘭內(nèi)設(shè)有測溫通路,測溫通路頂部設(shè)有反光鏡,反光鏡呈45°傾斜設(shè)置,且與反光鏡相對的水平方向上設(shè)有測溫孔,測溫通路的兩側(cè)分別通過進氣導向通路和出氣導向通路與進氣通路和出氣通路相連通,進氣通路和出氣通路分別與測溫法蘭兩側(cè)的進氣口和出氣口相連通。本發(fā)明的一種用于晶體生長的防遮擋測溫裝置改善了進氣路徑,優(yōu)化了爐體內(nèi)的流場,使測溫更加準確。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種測溫裝置,具體涉及一種用于晶體生長的防遮擋測溫裝置,屬于坩堝溫控技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
在使用PVT法進行氮化鋁或碳化硅晶體生長過程中,設(shè)備溫度一般都在2000℃以上,在如此高的溫度下,一般接觸式的測溫部件難以承受,只能依靠光學測溫。常用的測溫方法是在設(shè)備頂端開孔,使用玻璃或石英觀察窗,通過紅外測溫儀接受透出的光線進行測溫。但現(xiàn)有的晶體生長爐在工作過程中,由于內(nèi)部溫度過高,所用的保溫材料極易容易揮發(fā)起塵,在溫度相對較低的測溫窗表面進行沉積,將其遮蔽,影響測溫的準確性,進而影響溫度控制,使生長出的晶體產(chǎn)生質(zhì)量缺陷,造成損失。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于晶體生長的防遮擋測溫裝置,以解決傳統(tǒng)坩堝測溫結(jié)構(gòu)上的測溫窗表面容易被遮蔽,影響測溫,影響晶體生長質(zhì)量的問題
一種用于晶體生長的防遮擋測溫裝置包括坩堝、坩堝蓋、導向筒、測溫法蘭、和反光鏡;
坩堝上設(shè)有坩堝蓋,測溫法蘭通過導向筒與坩堝內(nèi)部連通,測溫法蘭內(nèi)設(shè)有測溫通路,測溫通路頂部設(shè)有反光鏡,反光鏡呈45°傾斜設(shè)置,且與反光鏡相對的水平方向上設(shè)有測溫孔,測溫通路的兩側(cè)分別通過進氣導向通路和出氣導向通路與進氣通路和出氣通路相連通,進氣通路和出氣通路分別與測溫法蘭兩側(cè)的進氣口和出氣口相連通。
優(yōu)選的:進氣導向通路呈45°傾斜設(shè)置,且軸線與反光鏡的鏡面垂直。
本發(fā)明與現(xiàn)有產(chǎn)品相比具有以下效果:
在頂端設(shè)置一傾斜45°角的反光鏡,將光線水平導出進行測溫,其傾斜的設(shè)計區(qū)別于傳統(tǒng)的水平測溫窗,可達到防沉積的效果;
氣體從法蘭邊緣進入,通過進氣導向通路,進氣的同時吹掃反光鏡,防止雜質(zhì)沉積在反光鏡表面,隨后氣體通過另一側(cè)的路徑排出,并帶走雜質(zhì)。法蘭盤與坩堝蓋之間設(shè)置一導向筒,防止爐體內(nèi)的揮發(fā)雜質(zhì)進入氣路內(nèi),同時起到光線導向的作用,便于測溫對焦;
可有效杜絕測溫窗的遮擋問題,使得晶體生長過程中始終處于準確的溫度控制,克服了測溫不準,可重復性差的缺點,并改善了進氣路徑,優(yōu)化了爐體內(nèi)的流場。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的一種用于晶體生長的防遮擋測溫裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:1-坩堝、2-坩堝蓋、3-導向筒、4-測溫法蘭、5-進氣口、6-進氣通路、7-進氣導向通路、8-測溫通路、9-出氣通路、10-出氣導向通路、11-出氣口、12-反光鏡、13-測溫孔。
具體實施方式
下面根據(jù)附圖詳細闡述本發(fā)明優(yōu)選的實施方式。
如圖1所示,本發(fā)明所述的一種用于晶體生長的防遮擋測溫裝置包括坩堝1、坩堝蓋2、導向筒3、測溫法蘭4、和反光鏡12;
坩堝1上設(shè)有坩堝蓋2,測溫法蘭4通過導向筒3與坩堝1內(nèi)部連通,測溫法蘭4內(nèi)設(shè)有測溫通路8,測溫通路8頂部設(shè)有反光鏡12,反光鏡12呈45°傾斜設(shè)置,且與反光鏡12相對的水平方向上設(shè)有測溫孔13,測溫通路8的兩側(cè)分別通過進氣導向通路7和出氣導向通路10與進氣通路6和出氣通路9相連通,進氣通路6和出氣通路9分別與測溫法蘭4兩側(cè)的進氣口5和出氣口11相連通。
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