[發(fā)明專利]載盤結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010317304.6 | 申請日: | 2020-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN111490002B | 公開(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳佶亨;吳俊德;賴彥霖 | 申請(專利權(quán))人: | 錼創(chuàng)顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 張娜;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學(xué)園*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 盤結(jié) | ||
本發(fā)明提供一種載盤結(jié)構(gòu),適于配置于一沉積設(shè)備上,該載盤結(jié)構(gòu)包括一第一載盤以及一第二載盤,其中第一載盤設(shè)置于沉積設(shè)備上,以受沉積設(shè)備控制溫度,且第一載盤包括一第一承載部以及至少一熱導(dǎo)結(jié)構(gòu),第一承載部設(shè)置于第一載盤的頂面上,至少一熱導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一承載部的凹槽中。第二載盤設(shè)置于第一承載部以及至少一熱導(dǎo)結(jié)構(gòu)上。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種載盤結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
環(huán)境條件經(jīng)常是在半導(dǎo)體外延(epitaxy)過程中影響元件生長狀況的一個重要因子,例如,當(dāng)在基板上生長元件或?qū)咏Y(jié)構(gòu)時,需要基板具有均勻的溫度分布,以提高生產(chǎn)良率。
在制程過程中,經(jīng)常是以外延載盤來乘載生長基板,并通過沉積設(shè)備的加熱模塊來加熱其上的基板,然而,現(xiàn)有的載盤會出現(xiàn)溫度不均的狀況,導(dǎo)致設(shè)置于其上的基板的中央?yún)^(qū)域出現(xiàn)溫度較低的狀況。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對一種載盤結(jié)構(gòu),改善了溫度不均的狀況。
根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例,提供一種載盤結(jié)構(gòu),適于配置于一沉積設(shè)備上,該載盤結(jié)構(gòu)包括一第一載盤以及一第二載盤,其中第一載盤設(shè)置于沉積設(shè)備上,以受沉積設(shè)備控制溫度,且第一載盤包括一第一承載部以及至少一熱導(dǎo)結(jié)構(gòu),第一承載部設(shè)置于第一載盤的頂面上,至少一熱導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一承載部的一凹槽中。第二載盤設(shè)置于第一承載部以及至少一熱導(dǎo)結(jié)構(gòu)上。
基于上述,本發(fā)明的實(shí)施例的載盤結(jié)構(gòu)通過設(shè)置熱導(dǎo)結(jié)構(gòu)來提高第二載盤中央?yún)^(qū)域的溫度,進(jìn)而提升第二載盤所乘載的基板的溫度均勻度,以提升制程良率。
附圖說明
圖1A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的載盤結(jié)構(gòu);
圖1B是圖1A的載盤結(jié)構(gòu)設(shè)置于沉積設(shè)備時沿著虛線II-II’的截面圖;
圖1C是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的載盤結(jié)構(gòu)局部示意圖;
圖2A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的載盤結(jié)構(gòu)局部示意圖;
圖2B是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的載盤結(jié)構(gòu)局部示意圖;
圖3A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的載盤結(jié)構(gòu)局部示意圖;
圖3B是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的載盤結(jié)構(gòu)局部示意圖;
圖4A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的載盤結(jié)構(gòu);
圖4B是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的載盤結(jié)構(gòu)局部示意圖;
圖4C是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的載盤結(jié)構(gòu)局部示意圖。
附圖標(biāo)記說明
200,500:載盤結(jié)構(gòu)
201,501:第一載盤
202,502:第二載盤
205:加熱模塊
203,302,402,503:第一承載部
204,301,401,504:熱導(dǎo)結(jié)構(gòu)
206,303,403,505:凹槽
207,304,404,507:定位結(jié)構(gòu)
208,508:第二載盤中心孔
506:噴氣氣孔
509:氣流凹槽
510:附加熱導(dǎo)結(jié)構(gòu)
具體實(shí)施方式
現(xiàn)將詳細(xì)地參考本發(fā)明的示范性實(shí)施例,示范性實(shí)施例的實(shí)例說明于附圖中。只要有可能,相同元件符號在附圖和描述中用來表示相同或相似部分。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





