[發(fā)明專利]載盤結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010317304.6 | 申請日: | 2020-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN111490002B | 公開(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳佶亨;吳俊德;賴彥霖 | 申請(專利權(quán))人: | 錼創(chuàng)顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 張娜;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學園*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 盤結(jié) | ||
1.一種載盤結(jié)構(gòu),其特征在于,適于配置于沉積設備上,所述載盤結(jié)構(gòu)包括:
第一載盤,設置于所述沉積設備上,以受所述沉積設備控制溫度,所述第一載盤包括:
第一承載部,設置于所述第一載盤的頂面上;以及
至少一熱導結(jié)構(gòu),設置于所述第一承載部的凹槽中;以及
第二載盤,設置于所述第一承載部以及所述至少一熱導結(jié)構(gòu)上,
其中所述至少一熱導結(jié)構(gòu)設置于所述第一承載部的所述凹槽的底面上,所述第一承載部進一步包括定位結(jié)構(gòu),其一端部設置于所述第一承載部的中心,其另一端部抵設所述第二載盤的中心,且所述至少一熱導結(jié)構(gòu)相對于所述定位結(jié)構(gòu)對稱設置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載盤結(jié)構(gòu),其特征在于,在所述第一載盤的法線方向上,所述至少一熱導結(jié)構(gòu)的高度與所述凹槽的深度的比值大于等于0.1,且小于等于1.5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載盤結(jié)構(gòu),其特征在于,在所述第一載盤的法線方向上,所述第二載盤與所述至少一熱導結(jié)構(gòu)的距離大于0cm,且小于等于1cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載盤結(jié)構(gòu),其特征在于,在所述第一載盤的法線方向上,所述至少一熱導結(jié)構(gòu)的高度和所述第二載盤與所述凹槽的所述底面的距離的比值落在0.2至0.8的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載盤結(jié)構(gòu),其特征在于,在垂直于所述第一載盤的法線的面上,所述至少一熱導結(jié)構(gòu)的面積小于等于所述第一載盤的面積的5%,小于等于所述第一承載部的面積的10%,且落在所述凹槽的面積的50%至90%的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載盤結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一承載部進一步包括多個氣流凹槽且所述第一承載部進一步包括多個附加熱導結(jié)構(gòu),設置于所述多個氣流凹槽的底面上,其中所述多個附加熱導結(jié)構(gòu)中的每一個的熱導率小于等于所述至少一熱導結(jié)構(gòu)的熱導率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載盤結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一承載部進一步包括多個附加熱導結(jié)構(gòu),設置于所述第一承載部的所述凹槽外,所述多個附加熱導結(jié)構(gòu)中的每一個的熱導率小于等于所述至少一熱導結(jié)構(gòu)的熱導率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的載盤結(jié)構(gòu),其特征在于,在垂直于所述第一載盤的法線的面上,所述多個附加熱導結(jié)構(gòu)的總面積小于所述至少一熱導結(jié)構(gòu)的面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載盤結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一承載部進一步包括至少一噴氣氣孔,當所述至少一個噴氣氣孔噴氣,在所述第一載盤的法線方向上,所述至少一熱導結(jié)構(gòu)與所述第二載盤的距離和所述第一承載部的頂面與所述第二載盤的距離的比值落在0.1至1.5的范圍內(nèi)。
10.一種載盤結(jié)構(gòu),其特征在于,適于配置于沉積設備上,所述載盤結(jié)構(gòu)包括:
載盤,設置于所述沉積設備上,以受所述沉積設備控制溫度,所述載盤包括:
承載部,設置于所述載盤的頂面上;
至少一熱導結(jié)構(gòu),設置于所述承載部的中心凹槽;以及
定位結(jié)構(gòu),設置于所述承載部的所述中心凹槽,且所述至少一熱導結(jié)構(gòu)相對于所述定位結(jié)構(gòu)對稱設置;
其中所述熱導結(jié)構(gòu)于所述承載部上的投影面積大于等于所述定位結(jié)構(gòu)于所述承載部上的投影面積,且所述熱導結(jié)構(gòu)的熱導率大于等于所述定位結(jié)構(gòu)的熱導率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





