[發(fā)明專利]集成電路器件及制造其的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010315963.6
• 申請(qǐng)日: 2020-04-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112420668A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李忠炫;崔準(zhǔn)容;李泳周
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/535
• 分類號(hào): H01L23/535;H01L23/48;H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張逍遙;劉燦強(qiáng)

提供了一種集成電路器件和制造集成電路器件的方法，所述集成電路器件包括：導(dǎo)電線，包括金屬層；以及絕緣蓋結(jié)構(gòu)，覆蓋導(dǎo)電線。絕緣蓋結(jié)構(gòu)包括：第一絕緣蓋圖案，在絕緣蓋結(jié)構(gòu)中與金屬層相鄰并且具有第一密度；以及第二絕緣蓋圖案，與金屬層間隔開(kāi)且第一絕緣蓋圖案位于第二絕緣蓋圖案與金屬層之間，第二絕緣蓋圖案具有比第一密度大的第二密度。為了制造所述集成電路器件，在基底上形成具有金屬層的導(dǎo)電線，直接在金屬層上形成具有第一密度的第一絕緣蓋層，并且在第一絕緣蓋層上形成具有比第一密度大的第二密度的第二絕緣蓋層。

本申請(qǐng)要求于2019年8月21日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0102456號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

發(fā)明構(gòu)思涉及一種集成電路器件和制造該集成電路器件的方法，具體地，涉及一種包括位線的集成電路器件。

背景技術(shù)

隨著集成電路器件已經(jīng)快速地縮小，多條布線之間的間隔減小，并且由多條布線和置于多條布線之間的多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)占據(jù)的面積也減小。因此，難以在多條布線和多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之中確保足夠的接觸面積。因此，期望開(kāi)發(fā)一種能夠抑制在有限區(qū)域內(nèi)密集布置的布線的電阻的增加的結(jié)構(gòu)以及實(shí)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)的方法。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的方面，提供了一種集成電路器件，該集成電路器件具有能夠抑制布線的電阻的增加的結(jié)構(gòu)，該布線密集布置在根據(jù)集成電路器件的縮小而具有精細(xì)單位單元尺寸的集成電路器件中的有限區(qū)域內(nèi)。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種制造集成電路器件的方法，該集成電路器件具有能夠抑制布線的電阻的增加的結(jié)構(gòu)，該布線密集地布置在根據(jù)集成電路器件的縮小而具有精細(xì)單位單元尺寸的集成電路器件中的有限區(qū)域內(nèi)。

根據(jù)實(shí)施例，提供了一種集成電路器件，該集成電路器件包括：導(dǎo)電線，形成在基底上，導(dǎo)電線包括金屬層并且在相對(duì)于基底的上表面的第一水平方向上延伸；以及絕緣蓋結(jié)構(gòu)，覆蓋導(dǎo)電線。其中，絕緣蓋結(jié)構(gòu)包括：第一絕緣蓋圖案，具有第一密度，第一絕緣蓋圖案與金屬層相鄰；以及第二絕緣蓋圖案，與金屬層豎直地間隔開(kāi)且第一絕緣蓋圖案位于第二絕緣蓋圖案與金屬層之間，第二絕緣蓋圖案具有比第一密度大的第二密度。

根據(jù)另一實(shí)施例，提供了一種集成電路器件，該集成電路器件包括：一對(duì)位線，在基底上沿相對(duì)于基底的上表面的第一水平方向彼此平行地延伸，所述一對(duì)位線在相對(duì)于基底的上表面的第二水平方向上彼此相鄰；一對(duì)絕緣蓋結(jié)構(gòu)，分別覆蓋所述一對(duì)位線；以及接觸結(jié)構(gòu)，在豎直方向上從所述一對(duì)位線之間延伸至所述一對(duì)絕緣蓋結(jié)構(gòu)之間，其中，所述一對(duì)位線均包括金屬層，并且所述一對(duì)絕緣蓋結(jié)構(gòu)中的每個(gè)包括：第一絕緣蓋圖案，位于金屬層上，第一絕緣蓋圖案具有第一密度；以及第二絕緣蓋圖案，與金屬層間隔開(kāi)且第一絕緣蓋圖案位于第二絕緣蓋圖案與金屬層之間，第二絕緣蓋圖案具有比第一密度大的第二密度。

根據(jù)另一實(shí)施例，提供了一種集成電路器件，該集成電路器件包括：基底，包括單元陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域；位線，在單元陣列區(qū)域中位于基底上，位線包括第一金屬層；第一絕緣蓋結(jié)構(gòu)，在單元陣列區(qū)域中覆蓋位線；柵電極，在外圍電路區(qū)域中位于基底上，柵電極包括第二金屬層；以及第二絕緣蓋結(jié)構(gòu)，在外圍電路區(qū)域中覆蓋柵電極，其中，第一絕緣蓋結(jié)構(gòu)和第二絕緣蓋結(jié)構(gòu)中的每個(gè)包括：第一絕緣蓋圖案，具有第一密度；以及第二絕緣蓋圖案，與基底間隔開(kāi)且第一絕緣蓋圖案位于第二絕緣蓋圖案與基底之間，第二絕緣蓋圖案具有比第一密度大的第二密度，第一金屬層與包括在第一絕緣蓋結(jié)構(gòu)中的第一絕緣蓋圖案接觸，第一金屬層包括摻雜有氮(N)原子的第一區(qū)域，第一區(qū)域從第一金屬層與第一絕緣蓋結(jié)構(gòu)中的第一絕緣蓋圖案之間的界面朝向基底延伸并且具有第一金屬層的部分厚度。

根據(jù)另一實(shí)施例，提供了一種制造集成電路器件的方法，該方法包括：在基底上形成導(dǎo)電線，導(dǎo)電線包括金屬層；在導(dǎo)電線上形成絕緣蓋結(jié)構(gòu)，絕緣蓋結(jié)構(gòu)包括多個(gè)絕緣蓋圖案。形成絕緣蓋結(jié)構(gòu)的步驟包括直接在金屬層上形成第一絕緣蓋層，第一絕緣蓋層具有第一密度。在第一絕緣蓋層上形成第二絕緣蓋層，第二絕緣蓋層具有比第一密度大的第二密度。