[發明專利]集成電路器件及制造其的方法

在審

• 申請號: 202010315963.6
• 申請日: 2020-04-21
• 公開（公告）號: CN112420668A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 李忠炫;崔準容;李泳周
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/535
• 分類號: H01L23/535;H01L23/48;H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張逍遙;劉燦強

1.一種集成電路器件，所述集成電路器件包括：

導電線，形成在基底上，導電線包括金屬層并且在相對于基底的上表面的第一水平方向上延伸；以及

絕緣蓋結構，覆蓋導電線，

其中，絕緣蓋結構包括：

第一絕緣蓋圖案，具有第一密度，第一絕緣蓋圖案與金屬層相鄰；以及

第二絕緣蓋圖案，與金屬層豎直地間隔開且第一絕緣蓋圖案位于第二絕緣蓋圖案與金屬層之間，第二絕緣蓋圖案具有比第一密度大的第二密度。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，

第一絕緣蓋圖案和第二絕緣蓋圖案彼此接觸，并且

第一絕緣蓋圖案在相對于基底的上表面的第二水平方向上的寬度等于第二絕緣蓋圖案在第二水平方向上的寬度，第二水平方向垂直于第一水平方向。

3.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，

第一絕緣蓋圖案與金屬層接觸，并且

金屬層包括摻雜有氮原子的第一區域，第一區域從金屬層與第一絕緣蓋圖案之間的界面朝向基底延伸并且具有比金屬層的厚度小的第一厚度。

4.根據權利要求3所述的集成電路器件，其中，

金屬層的第一區域的第一厚度在至之間。

5.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，

第一絕緣蓋圖案的底表面與金屬層的上表面接觸，并且

第二絕緣蓋圖案的底表面與第一絕緣蓋圖案的上表面接觸。

6.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，

第一絕緣蓋圖案和第二絕緣蓋圖案均包括氮化硅層。

7.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，

第一絕緣蓋圖案包括碳氮化硅層，第二絕緣蓋圖案包括氮化硅層。

8.根據權利要求1所述的集成電路器件，所述集成電路器件還包括：

接觸結構，在相對于基底的上表面的第二水平方向上面對導電線的側壁和絕緣蓋結構的側壁，第二水平方向垂直于第一水平方向。

9.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，

導電線包括順序地堆疊在基底上的下導電圖案、中間導電圖案和上導電圖案，并且

下導電圖案包括摻雜多晶硅，中間導電圖案包括TiN、TiSiN或它們的組合，上導電圖案包括鎢。

10.一種集成電路器件，所述集成電路器件包括：

一對位線，在基底上沿相對于基底的上表面的第一水平方向彼此平行地延伸，所述一對位線在相對于基底的上表面的第二水平方向上彼此相鄰；

一對絕緣蓋結構，分別覆蓋所述一對位線，以及

接觸結構，在豎直方向上從所述一對位線之間延伸至所述一對絕緣蓋結構之間，

其中，所述一對位線均包括金屬層，并且

所述一對絕緣蓋結構中的每個包括：

第一絕緣蓋圖案，位于金屬層上，第一絕緣蓋圖案具有第一密度；以及

第二絕緣蓋圖案，與金屬層間隔開且第一絕緣蓋圖案位于第二絕緣蓋圖案與金屬層之間，第二絕緣蓋圖案具有比第一密度大的第二密度。

11.根據權利要求10所述的集成電路器件，其中，

在所述一對絕緣蓋結構的至少一個中，第一絕緣蓋圖案的在第二水平方向上的寬度等于第二絕緣蓋圖案的在第二水平方向上的寬度。

12.根據權利要求10所述的集成電路器件，其中，

第一絕緣蓋圖案與金屬層接觸，并且

金屬層包括與第一絕緣蓋圖案接觸的鎢層和分布在鎢層中的氮化鎢顆粒，鎢層包括鎢原子和氮原子，氮原子分布在鎢層的與第一絕緣蓋圖案接觸的局部區域的鎢原子之間而不與鎢原子發生任何化學反應。