[發明專利]封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010315948.1
• 申請日: 2020-04-21
• 公開（公告）號: CN112992831A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 曾庭箴;郭宏瑞;胡毓祥;廖思豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/528;H01L23/31
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本發明實施例提供一種封裝結構及其制造方法。一種封裝結構包括半導體管芯、多個導電柱、絕緣包封體、重布線路結構及阻焊層。導電柱排列在半導體管芯旁邊。絕緣包封體包封半導體管芯及導電柱，且絕緣包封體具有第一表面及與第一表面相對的第二表面。重布線路結構位于絕緣包封體的第一表面上。阻焊層位于絕緣包封體的第二表面上，其中阻焊層的材料包含填料。

技術領域

本發明實施例提供一種封裝結構及其制造方法。

背景技術

通常將半導體裝置及集成電路制造在單個半導體晶片上。可在晶片級上處理晶片的管芯并將所述管芯與其他半導體裝置或管芯封裝在一起，且已針對晶片級封裝開發出各種技術。

發明內容

本發明實施例提供一種封裝結構包括半導體管芯、多個導電柱、絕緣包封體、重布線路結構及阻焊層。導電柱排列在半導體管芯旁邊。絕緣包封體包封半導體管芯及導電柱，且絕緣包封體具有第一表面及與第一表面相對的第二表面。重布線路結構位于絕緣包封體的第一表面上。阻焊層位于絕緣包封體的第二表面上，其中阻焊層的材料包含填料。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，能最好地理解本公開的各方面。注意，根據行業中的標準慣例，各種特征未按比例繪制。事實上，為論述的清晰起見，可任意地增大或減小各種特征的尺寸。

圖1到圖8是根據本公開的一些實施例的封裝結構的制造方法中的各個階段的示意性剖視圖。

圖9是根據本公開的一些實施例的封裝結構的示意性剖視圖。

圖10是根據本公開的一些實施例的封裝結構的示意性剖視圖。

圖11是根據本公開的一些實施例的封裝結構的示意性剖視圖。

圖12到圖14是根據本公開的一些實施例的封裝結構的制造方法中的各個階段的示意性剖視圖。

圖15是根據本公開的一些實施例的封裝結構的示意性剖視圖。

圖16是根據本公開的一些實施例的封裝結構的示意性剖視圖。

圖17是根據本公開的一些實施例的封裝結構的示意性剖視圖。

[符號的說明]

10a、10b、10c、10d：封裝結構/半導體封裝

110a、110b：阻焊層

120：導電柱

120b：底表面/表面

120s、130s、SW1、SW2：側壁

120t、130t、140t：頂表面

130、820a、820b：半導體管芯

130b：后側表面

131、810：襯底

130a：有源表面

132、840、850：導電墊

133：鈍化層

134：鈍化后層

135：連接通孔

136：保護層

140、140a、860：絕緣包封體

140b：底表面

150、190：重布線路結構

152、152a、152b、152c、152d、192：介電層

154、154a、154b、154c、194：金屬化層