[發明專利]光器件層的移設方法

在審

• 申請號: 202010315789.5
• 申請日: 2020-04-21
• 公開（公告）號: CN111834278A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 小柳將
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L33/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

提供光器件層的移設方法，將光器件層移設，在進行激光剝離時，能夠抑制光器件向移設部件的轉移率降低。將光器件層移設的移設方法包含移設部件接合步驟、緩沖層破壞步驟、光器件層轉移步驟、粘接劑去除步驟以及光器件層移設步驟。在移設部件接合步驟中，將光器件晶片和移設部件借助粘接劑而接合，在光器件晶片的被分割成芯片尺寸的光器件層與光器件層之間的間隙中填充粘接劑。在粘接劑去除步驟中，將填充至光器件層與光器件層之間的間隙中的粘接劑的至少一部分去除，以使得通過移設部件接合步驟而埋設于粘接劑層的光器件層從粘接劑層突出。

技術領域

本發明涉及光器件層的移設方法，從光器件晶片移設光器件層。

背景技術

LED(Light Emitting Diode，發光二極管)等光器件例如是使構成pn接合的n型半導體層和p型半導體層在藍寶石基板的正面上外延生長而形成的。已知有將這樣形成的光器件層從藍寶石基板剝離而轉移至移設部件的被稱為激光剝離的剝離技術(參照專利文獻1和2)。近年來，被稱為微LED的極小尺寸的LED的制造技術也在發展，已知有通過蝕刻將半導體層分割而制作大量LED的技術(參照專利文獻3)。

專利文獻1：日本特開2004-072052號公報

專利文獻2：日本特開2016-021464號公報

專利文獻3：日本特開2018-107421號公報

但是，在對上述的微LED進行激光剝離時，存在LED向移設部件的轉移率會降低的問題。

發明內容

由此，本發明的目的在于提供光器件層的移設方法，從光器件晶片移設光器件層，在進行激光剝離時能夠抑制光器件向移設部件的轉移率降低。

根據本發明，提供光器件層的移設方法，將光器件晶片的光器件層移設，該光器件晶片是將被分割成芯片尺寸的多個光器件層隔著緩沖層層疊在外延基板的正面上而得的，其中，該光器件層的移設方法具有如下的步驟：移設部件接合步驟，將該光器件晶片和移設部件借助粘接劑而接合，在該光器件晶片的被分割成芯片尺寸的光器件層與光器件層之間的間隙中填充該粘接劑；緩沖層破壞步驟，在實施了該移設部件接合步驟之后，從接合有該移設部件的光器件晶片的外延基板的背面側對緩沖層照射對于外延基板具有透過性且對于緩沖層具有吸收性的波長的脈沖激光光線，將緩沖層破壞；光器件層轉移步驟，在實施了該緩沖層破壞步驟之后，將該外延基板從該光器件層剝離，將層疊在該外延基板上的光器件層轉移至該移設部件；粘接劑去除步驟，在該光器件層轉移步驟之后，將填充至光器件層與光器件層之間的間隙中的粘接劑的至少一部分去除，以使得通過該移設部件接合步驟而埋設于粘接劑層的該光器件層從該粘接劑層突出；以及光器件層移設步驟，在該粘接劑去除步驟之后，將從該粘接劑層突出的光器件層移設至安裝基板。

根據本申請發明，在進行激光剝離時能夠抑制光器件向移設部件的轉移率降低。

附圖說明

圖1是包含本發明實施方式的移設方法的移設對象的光器件晶片的立體圖。

圖2是圖1的光器件晶片的剖視圖。

圖3是示出實施方式的移設方法的流程圖。

圖4是示出圖3的移設部件接合步驟的一個狀態的剖視圖。

圖5是示出圖3的移設部件接合步驟的圖4之后的一個狀態的剖視圖。

圖6是示出圖3的緩沖層破壞步驟的一例的局部剖視側視圖。

圖7是示出圖3的光器件層轉移步驟的一例的剖視圖。

圖8是示出圖3的粘接劑去除步驟的一例的局部剖視側視圖。

圖9是示出圖3的光器件層移設步驟的一個狀態的剖視圖。