[發(fā)明專利]光器件層的移設(shè)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010315789.5 | 申請日： | 2020-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN111834278A | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 小柳將 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 喬婉;于靖帥 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 器件 方法 | ||
1.一種光器件層的移設(shè)方法，將光器件晶片的光器件層移設(shè)，該光器件晶片是將被分割成芯片尺寸的多個(gè)光器件層隔著緩沖層層疊在外延基板的正面上而得的，其中，
該光器件層的移設(shè)方法具有如下的步驟：
移設(shè)部件接合步驟，將該光器件晶片和移設(shè)部件借助粘接劑而接合，在該光器件晶片的被分割成芯片尺寸的光器件層與光器件層之間的間隙中填充該粘接劑；
緩沖層破壞步驟，在實(shí)施了該移設(shè)部件接合步驟之后，從接合有該移設(shè)部件的光器件晶片的外延基板的背面?zhèn)葘彌_層照射對于外延基板具有透過性且對于緩沖層具有吸收性的波長的脈沖激光光線，將緩沖層破壞；
光器件層轉(zhuǎn)移步驟，在實(shí)施了該緩沖層破壞步驟之后，將該外延基板從該光器件層剝離，將層疊在該外延基板上的光器件層轉(zhuǎn)移至該移設(shè)部件；
粘接劑去除步驟，在該光器件層轉(zhuǎn)移步驟之后，將填充至光器件層與光器件層之間的間隙中的粘接劑的至少一部分去除，以使得通過該移設(shè)部件接合步驟而埋設(shè)于粘接劑層的該光器件層從該粘接劑層突出；以及
光器件層移設(shè)步驟，在該粘接劑去除步驟之后，將從該粘接劑層突出的光器件層移設(shè)至安裝基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
